PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Measurements of the changes of thermal properties of lubricating oils caused by their degradation
100%
Bychto L. , Maliński M.
|
|
tom Vol. 19
71-77
EN
In this paper the results of photoacoustic studies concerning the influence of the wear [extent of the lubricating oils on their thermal parameters are presented and discussed Time dependent characteristics of the amplitude and phase of the photoacoustic (PA) signal as also their correlation as a function of the time of free flow of oil layers alongside the measuring membrane are presented. It was proved that the normal wear extent of oils which were measured was accompanied by approximately 30% increase of their thermal conductivity
2
Fototoacoustic measurements of the thermal properties of the electrically conducting glues used in the assembly of hybrid circuits
100%
Maliński M. , Bychto L.
|
|
tom Vol. 19
169-177
EN
In this paper the results of the photoacoustic measurements of the electrically conducting i are presented and discussed. The aim of this work was to estimate the value of the conductivity .thermal diffusivity and thermal diffusivity of the thick glue layers and : the results with the corresponding values of other typical solders and silicon. As the electrically conducting glue the unary paste EKO Solder AX201 with the silver powder filling was used and examined..
3
Content available remote Experimental investigations of the dependence of the lifetime of the optically generated minority carriers in n-type silicon on the intensity of its illumination
100%
Bychto L. , Maliński M.
|
|
tom R. 93, nr 8
35--38
EN
This paper presents experimental and theoretical dependences of the lifetime of minority carriers in n-type silicon on the intensity of its illumination. The experimental characteristics have been interpreted theoretically in the frame of Shockley Read Hall (SRH) statistics. The lifetimes of minority carriers for a low intensity of illumination were measured with the Surface Photovoltage (SPV) method while for the high intensity a Modulated Free Carrier Absorption (MFCA) method was applied. The obtained results clearly show that the experimentally obtained lifetimes of carriers can be compared only for the same conditions of illumination of the sample.
PL
Praca przedstawia doświadczalne i teoretyczne zależności czasu życia nośników mniejszościowych w krzemie typu n od natężenia światła. Charakterystyki doświadczalne zostały zinterpretowane teoretycznie w modelu Shockley Read Hall (SRH). Czasy życia nośników dla małych natężeń światła oświetlajacch próbkębyły mierzone metodą SPV podczas gdy dla dużych natężeń światła wykorzystano metodę Modulacji Absorpcji Światła na Swobodnych Nośnikach (MFCA). Uzyskane rezutaty jasno pokazują, że czasy życia uzyskane eksperymentalnie mogą być porównywane tylko dla tych samych warunków oświetlanie próbek.
4
Pomiary SPV krzemu stosowanego w fotowoltaice z wykorzystaniem wielokanałowego źródła optycznego
100%
Bychto L. , Patryn A.
|
|
tom Vol. 54, nr 5
47-50
PL
Metody pomiaru fotonapięcia powierzchniowego SPV są kluczowymi technikami wyznaczania istotnych parametrów materiałów półprzewodnikowych, w szczególności krzemu SQSi (Solar Quality Silicon) stosowanego do produkcji ogniw słonecznych. Celem pracy jest wykazanie, że możliwe jest zastąpienie elementów mechanicznych części wzbudzającej SPV półprzewodnikowymi źródłami światła (SSL). W artykule omówiono zagadnienia dotyczące opracowania i wykonania bloku wzbudzającego z użyciem diod LED i sprzęgacza światłowodowego układu SPV, a także pomiarów podstawowych parametrów optycznych bloku wzbudzającego oraz próbnych badań materiałów krzemowych metodą SPV w trybie stałego strumienia światła. Uzyskane wyniki potwierdziły możliwość wykorzystania elementów SSL do budowy bloku wzbudzającego.
EN
The surface photovoltage method SPV is one of the key methods for evaluation essential intrinsic parameters of semiconductor materials, especially Silicon used for solar cells production. The aim of the paper is the developing the SPV method in the way in which traditional excitation system based on lamp source and monochromator may be replaced with electronic controlled semiconductor source of light (SSL). The paper presents results of design and realization of the excitation block on a base of LED diodes and optical fiber splitter as well as results of analysis of semiconductor materials by using the SPV method in the constant photon flux mode. The obtained results confirmed the possibilities of reasonable using of the SSL elements to design an excitation block for SPV analysis the solar quality silicon materials.
5
Content available remote Influence of light intensity on the lifetime of carriers in silicon investigated by a photoacoustic method
100%
Bychto L. , Maliński M.
|
|
tom Vol. 24, No. 2
58--61
EN
The paper presents experimental results of the lifetime of light induced excess carriers in the n-type silicon. The lifetimes of carriers of silicon crystals were analysed as a function of the intensity of light illuminating the sample. As a measurement method of the lifetime of carriers, the photoacoustic method in a transmission configuration with different surfaces was used. The dependence character was next analysed in the frame of the Shockley Reed Hall statistics in approximation of the light low intensity.
6
Content available remote Photoacoustic spectroscopy analysis of thin semiconductor samples
100%
Bychto L. , Maliński M.
|
|
tom Vol. 26, No. 3
217--222
EN
This paper is an analysis of determination possibility of the optical absorption coefficient spectra of thin semiconductor layers from their normalized photoacoustic amplitude spectra. Influence of multiple reflections of light in thin layers on their photoacoustic and optical absorption coefficient spectra is presented and discussed in detail. Practical formulae for the optical absorption coefficient spectrum as a function of the normalized photoacoustic amplitude spectrum are derived and presented. Next, they were applied for computations of the optical absorption coefficient spectra of thin In₂S₃ thin layers deposited on a glass substrate. This method was experimentally verified with the optical transmission method.
7
Content available remote Mapowanie czasu życia nośników w materiałach półprzewodnikowych z wykorzystaniem techniki modulacji absorpcji na swobodnych nośnikach
80%
Maliński M. , Bychto L. , Chrobak Ł. , Madej W.
|
2015
|
tom R. 91, nr 9
113-116
PL
W artykule zaprezentowano tematykę bezkontaktowego mapowania czasów życia nośników w materiałach półprzewodnikowych z wykorzystaniem techniki modulacji absorpcji na swobodnych nośnikach. Opisano szczegóły techniczne dotyczące realizacji stanowiska badawczego oraz wykorzystanej metody detekcji sygnału. Przedstawiono i przedyskutowano przykładowe mapy czasów życia nośników w krzemie monokrystalicznym. W pracy omówiono również sposób wyznaczania koncentracji pułapek odpowiedzialnych za skrócenie czasu życia nośników.
EN
In the paper the issue of a noncontact mapping of the lifetimes of carriers in semiconductor materials with the MFCA method is presented. The technical details of the construction of the experimental set-up and the applied method of detection are described. Example maps of the lifetime spatial distributions in the silicon samples are shown and discussed. In the paper the way of computation of the spatial distribution of the traps responsible for the shortening of the lifetime of carriers is also presented.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.