Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
The band-gap energy of GaInNAs layers lattice-matched to GaAs substrate and annealed under different temperatures is investigated by photoreflectance spectroscopy. Different nitrogen nearest-neighbor environments of N atom appear in GaInNAs layers due to the post-growth annealing. It leads to an energy-fine structure of the band gap, i.e. well separated photoreflectance resonances related to different nitrogen nearest-neighbor environments (N-Ga_{4-m}In_m (0≤ m≤ 4) short-range-order clusters). The temperature dependence of the band gap E(T) related to different N-Ga_{4-m}In_m clusters is investigated in 10-280 K temperature range, and Varshni and Bose-Einstein parameters for E(T) are determined.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.