W artykule przedstawiono przyczyny powstawania zakłóceń elektromagnetycznych w obwodach zawierających tranzystory IGBT. Zaprezentowano przybliżony sposób określania gęstości widmowych generowanych w obwodach z tranzystorami zakłóceń przy odwzorowaniu napięcia pomiędzy kolektorem a emiterem tranzystora za pomocą powtarzających się symetrycznych przebiegów trapezowych. Przedstawiono rzeczywiste przebiegi napięć i prądów w zbudowanym układzie pomiarowym oraz zmierzone poziomy napięć zakłóceń. Wymieniono czynniki, które wpływają na wyniki pomiarów.
EN
In this paper causes of impulse eletromagnetic disturbances that can occur appearance in IGBT transistors are presented. The heuristic evaluation of the amplitudes of frequency spectra based on the analysis of repeated symmetrically trapezoidal voltage waveforms mirth defined times: of rising/falling edge and impulse length. The real waveforms voltage and current in the invesigated circuit and measured levels of disturbance voltages are shown. The factors that influence the results are also listed.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.