Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Production of rare earths ion beams in arc discharge ion source using their oxides

100%

Turek M. , Droździel A. , Pyszniak K. , Prucnal S.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2016

|

tom R. 92, nr 8

158--161

EN

Production of rare earth’s ions from using their oxides and carbon tetrachloride (CCl4) vapor is described. Mechanism of internal chemical synthesis of rare earth’s chlorides is proposed. Working characteristics like dependences of ion currents on discharge and filament current, magnetic flux density as well as CCl4 flux are presented and discussed in order to find optimal working parameters. The separated currents of 18 A, 5 A, 3 A and 12 A were obtained for Eu+, Gd+, Ho+ and Pr+, respectively.

PL

W atykule opisana jest metoda wytwarzania wiązek jonów pierwiastków ziem rzadkich wykorzystująca ich tlenki i pary czterochlorku węgla (CCl4). Zaproponowano także wyjaśnienie mechanizmu wewnętrznej syntezy chlorków ziem rzadkich. Celem znalezienia optymalnych parametrów pracy rozpatrywanane są charakterystyki robocze źródła, takie jak zależności natężenia prądów jonowych od natężeń prądu wyładowania, grzania katody, indukcji magnetycznej zewnętrznego magnesu jak również nacieku CCl4. Otrzymano rozseparowane wiązki jonów Eu+, Gd+, Ho+ i Pr+ o natężeniach odpowiednio 18 A, 5 A, 3 A i 12 A.

2

Influence of silicone glycols on quality of fabric softeners

100%

Sulek M. W. , Zieba M. , Prucnal S.

|

nr 2

3

Źródło jonów dla potrzeb implantacji jonami Al⁺

88%

Turek M. , Pyszniak K. , Prucnal S. , Droździel A. , Żuk J.

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 9

102-105

PL

Zaprezentowano nową konstrukcję źródła jonów pierwiastków metalicznych. Podstawowym rozwiązaniem konstrukcyjnym jest umieszczenie molibdenowego parownika wewnątrz komory plazmowej źródła. Parownik jest nagrzewany przez spiralną katodę oraz przez wyładowanie łukowe. Wytworzone pary trafiają wprost do plazmy wyładowania łukowego, gdzie ulegają jonizacji w wyniku zderzeń z elektronami. Źródło umożliwia uzyskiwanie znacznych natężeń prądu Al⁺, rzędu 70 µA, ponadto pracuje stabilnie przez kilkanaście godzin. Artykuł zawiera opis konstrukcji źródła oraz numerycznego modelu jego pracy, jak również omówienie wyznaczonych charakterystyk źródła jonów.

EN

A new construction of the metalic ion source is presented. The clue of the design is an evaporator made of molybdenum and placed inside a discharge chamber. The evaporator is heated by a spiral cathode as well as by an arc discharge. Vapors are ionized in the arc discharge by electron impact. The source provides typically the current 70 µA of Al⁺ ions. The source operates stable over a dozen hours. The paper presents the construction of the source, the numerical model as well as the discussion of its characteristics measured in experiments.

4

Źródło jonów z parownikiem ogrzewanym przez wyładowanie łukowe. Symulacje komputerowe i eksperyment

88%

Turek M. , Droździel A. , Pyszniak K. , Prucnal S. , Żuk J.

|

tom R. 86, nr 7

193-195

PL

W artykule zaprezentowano nowy typ źródła jonów, szczególnie użyteczny w razie potrzeby uzyskania wiązek jonów pierwiastków metalicznych, także trudnotopliwych. Opisano także model numeryczny pozwalający na obliczenia wydajności jonizacji w zależności od parametrów pracy źródła. Przedstawiono wyniki symulacji. Pokazano wybrane doświadczalne charakterystyki źródła, otrzymane dla żelaza i glinu.

EN

A new type of ion source is presented that is especially useful for metalic ion beams, also in the case of refractory metals. A numerical model enabling ion source efficiency calculations is described and some simulation results are discussed. Ion source characteristics measured for iron and aluminum are presented.

5

Jonoluminescencja SiC wzbudzana bombardowaniem jonami H+

75%

Pyszniak K. , Żuk J. , Droździel A. , Wójtowicz A. , Prucnal S. , Turek M.

|

2013

|

tom R. 89, nr 5

281-283

PL

Zaprezentowano wyniki badań jonoluminescencji węglika krzemu bombardowanego jonami H+ o energiach 120 i 180 keV. Widma jonoluminescencji w zakresie 400-800 nm mają charakter ciągły z maksimum odpowiadającym fali o długości 730 nm. Badano także zmiany natężenia świecenia wywołane bombardowaniem jonowym. Zaobserwowano bardzo szybkie (dwa rzędy wielkości) osłabienie świecenia (dawki rzędu 4·1014 H+/cm2) wywołane zwiększającą się ilością defektów w tarczy. Artykuł zawiera także prezentację aparatury pomiarowej.

EN

Experimental results of the silicon carbide ionoluminescence induced by 120 and 180 keV H+ ion beams. The obtained spectra in the range 400-800 nm are continuous with the maximum at approximately 730 nm. Changes of the luminescence intensity caused by accumulated irradiation fluence were also studied. A very fast decrease of luminescence intensity (by two orders of magnitude) for a relatively small fluence (4·1014 H+/cm2) due to the increasing damage ot the target was observed. A brief description of experimental set-up is also given.

6

Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze

63%

Kulik M. , Żuk J. , Rzodkiewicz W. , Pyszniak K. , Droździel A. , Turek M. , Prucnal S. , Sochacki M. , Szmidt J.

|

tom Vol. 49, nr 7-8

15-18

PL

Praca przedstawia wyniki badań kryształu 6H-SiC zawierającego inkluzję politypu 15R-SiC zaimplantowanego jonami Al⁺. Zastosowano techniki analizy optycznej: elipsometrii spektroskopowej oraz mikro-ramanowskiego rozpraszania światła. Wielokrotną implantację wykonano przy użyciu implantatora UNIMAS ze zmodyfikowanym źródłem jonów przy pięciu różnych energiach i dawkach. Temperatura próbki w czasie implantacji wynosiła 500°C. Badania metodami mikro-Ramana i elipsometrii spektroskopowej wykazały powstawanie obszarów amorficznych po procesie implantacji w warstwie przypowierzchniowej w przypadku obu politypów SiC.

EN

The paper presents results of spectroscopic ellipsometry and micro-Raman scattering studies of Al⁺ ion-implanted 6H-SiC containing 15R-SiC polytype inclusion. Multiple implantation with 5 different Al⁺ energies and fluences was performed using the UNIMAS ion implanter with a modified ion source. The sample temperature was maintained at 500°C during the implantation process. Micro-Raman scattering and spectroscopic ellipsometry investigations indicate the formation of post-implantation amorphous regions in a subsurface region of both SiC polytypes.

7

Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksialnych 4H-SiC jonami glinu

51%

Kwietniewski N. , Pazio K. , Sochacki M. , Szmidt J. , Droździel A. , Kulik M. , Prucnal S. , Pyszniak K. , Rawski M. , Turek M. , Żuk J.

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 6

32-35

PL

W pracy opisano wytwarzanie i charakteryzację diod p-i-n wytwarzanych w strukturach epitaksjalnych 4H-SiC. W celu uzyskania warstw typu p⁺ wykonano 4-krotną implantację jonami Al przy całkowitej dawce 7,1 · 10¹⁴ cm⁻2² dla uzyskania prostokątnego rozkładu głębokościowego. Implantację prowadzono przy temperaturze tarczy 500°C z użyciem implanatora jonów UNIMAS wyposażonego w plazmowe źródło jonów naszej konstrukcji. Zaimplantowany materiał został następnie wygrzany w argonie przez 20 min. w t = 1600°C. Przeprowadzono badania rozkładów głębokościowych SIMS oraz rozpraszania mikro-ramanowskiego. Z pomiarów metodą c-TLM wyznaczono wartości rezystancji charakterystycznej kontaktów. Pomiary Halla wykazały, że koncentracja nośników w warstwie implantowanej p⁺ o grubości 350 nm zawiera się w przedziale 3...4 · 10¹⁸ cm⁻³ Gęstość prądu wytworzonych diod osiąga maksymalną wartość 220 A/cm² przy polaryzacji w kierunku przewodzenia 10 V, natomiast napięcie przebicia zawiera się w granicach 550...600 V.

EN

We report on fabrication and characterization of 4H-SiC p-i-n diodes. In order to obtain p⁺ -type layer, a four energy Al box-like profile was implanted with atotal fluence of 7,1 • 10 ¹¹ cm ⁻² at 500°C, using the UNIMAS ion implanter equipped with a plasma ion source of our construction. Implanted material was subsequently annealed for 20 min at 1600°C in argon. SIMS depth profiling and micro-Raman scattering investigations we re performed. The values of specific contact resistance were determined by the c-TLM method. The performed Hall measurements have shown that 350 nm thick p⁺ layers are characterized by carrier concentration of 3...4 • 10 ¹⁸ cm ⁻³. The fabricated diodes have probed forward current density up to 220 A/cm² at 10 V forward drop and 550...600 V breakdown voltages.