Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Charakterystyki progowe, wzmocnienie i własności optyczne laserów kaskadowych

100%

Pierściński K. , Pierścińska D. , Gutowski P. , Trajnerowicz A. , Karbownik P. , Bugajski M.

tom Vol. 55, nr 11

37-40

Praca ta przedstawia wyniki analizy elektrooptycznej kwantowych laserów kaskadowych zaprojektowanych na pasmo emisji 9–10 μm bazujących na heterostrukturach GaAs/AlGaAs. Charakteryzacja elektrooptyczna laserów kaskadowych obejmuje pomiary charakterystyk LIV (moc optyczna w funkcji prądu, charakterystyki prądowo napięciowe) oraz charakterystyk spektralnych.

This work presents results of electro-optical characterization of Quantum Cascade Lasers, designed to emit in 9–10 μm range, based on GaAs/AlGaAs heterostructures. Electro-optical characterization of QCLs includes measurements of Light- Current –Voltage curves and spectral characteristics.

Lasery kaskadowe na zakres średniej podczerwieni

84%

Kosiel K. , Szerling A. , Karbownik P. , Kubecka-Traczyk J. , Pruszyńska-Karbownik E. , Trajnerowicz A. , Pierścińska D. , Bugajski M.

2010

tom Vol. 51, nr 10

99-102

Lasery kaskadowe są przyrządami unipolarnymi, w których mechanizm emisji promieniowania koherentnego opiera się na wewnątrzpasmowych optycznych przejściach nośników. Istota ich działania pozwala na zastosowanie szerokiej gamy półprzewodnikowych materiałów epitaksjalnych, w celu otrzymania długości fali wybranej z bardzo szerokiego zakresu emisyjnego podczerwieni. Warunkiem sukcesu jest sprostanie wymaganiom skrajnie wysokiej precyzji podczas realizacji założeń konstrukcyjnych, zwłaszcza tych dotyczących geometrii krawędzi pasma przewodnictwa obszaru aktywnego. Prezentujemy tu opracowaną przez nas technologię wytwarzania laserów kaskadowych AlGaAs/GaAs, emitujących wiązkę (∼ 9,4 µm) o mocy ponad 1 W piku (77K) oraz moc optyczną - 12 W w temperaturze pokojowej.

Quantum cascade lasers are unipolardevices, in which the machanism of emission of coherent radiation is based on the intraband optical transitions of carriers, The idea of QCL enables the application of a wide range of epitaxial semiconductor materials in order to extract the needed wavelength, which is obtainable from the very wide emission spectrum. However only the extremely precise realisation of the appropriate constructional assumptions (towards the thicknesses, compositions and the doping levels of layers of the heterostructure) promotes the success in the field. The adequate MBE technology development as well as the perfect device processing elaboration enabled us to obtain AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers emitting the radiation (∼ 9 µm) with over 1W peak powers (77K). Lasers work at the room-temperature generating optical power - 12 mW.