Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 9

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Zaprezentowano metodę trójwymiarowe] wizualizacji kształtu powierzchni płytek podłożowych i tworzenia map naprężeń w warstwach na nich osadzanych na przykładzie podłóż hybrydowych Si (lub SiC]/SiO2/poli-SiC. Metoda ta wykorzystuje komercyjne urządzenie do pomiaru naprężeń, Tencor FLX 2320, którego funkcjonalność poszerzono we własnym zakresie.
EN
A method of 3D visualisation of wafer surface deflection and of maps of stress in thin films deposited on the wafers is presented. In the method we make use of a commercial Tencor FLX 2320 stress measurement system, whose characterisation capabilities were upgrader by own means.
PL
Praca prezentuje wyniki dotyczące strukturyzacji cienkich warstw Ti₃ SiC₂ osadzanych w temperaturach: pokojowej. 100, 300, 600, 900°C, na podłożach: Si (100). AI₂O₃ (0001), GaN (0001). Do trawienia użyto plazmy CF₄/O₂. Zbadano wpływ mocy oraz dodatku tlenu na szybkość trawienia Ti₃ SiC₂.
EN
The paper reports on plasma etching of Ti₃SiC₂ thin films, deposited on Si (100), Al₂O₃ (0001), GaN (0001), at temperatures: ambient, 100, 300, 600, 900°C. C₄/O₂ plasma was used. Influence of power and oxygen addition on etching rate was investigated.
EN
The paper presents the results of investigations of zinc oxide (ZnO) layers as a potential sensing material, being affected by certain selected gaseous environments. The investigations concerned the optical transmission through thin ZnO layers in wide spectral ranges from ultraviolet to the near infrared. The effect of the gaseous environment on the optical properties of zinc oxide layers with a thickness of ~ 400 nm was analyzed applying various technologies of ZnO manufacturing. Three kinds of ZnO layers were exposed to the effect of the gaseous environment, viz.: layers with relatively slight roughness (RMS several nm), layers with a considerable surface roughness (RMS some score of nm) and layers characterized by porous ZnO structures. The investigations concerned spectral changes in the transmission properties of the ZnO layers due to the effect of such gases as: ammonia (NH3), hydrogen (H2), and nitrogen dioxide (NO2) in the atmosphere of synthetic air. The obtained results indicated the possibility of applying porous ZnO layered structures in optical gas sensors.
PL
W artykule przedstawiono badania oddziaływania wybranego środowiska gazowego ze strukturami sensorowymi wykonanymi w oparciu o tlenek cynku - materiał półprzewodnikowy z szeroką przerwą energetyczną. Badania ukazują zmiany właściwości optycznych - zmiany spektralnych charakterystyk transmisyjnych warstw sensorowych tlenku cynku w wyniku odziaływania struktury ze środowiskiem gazowym - dwutlenkiem azotu (NO₂) w powietrzu syntetycznym.
EN
The paper presents the results of investigation of gas sensor structures based on zinc oxide ZnO - a semiconductor material with wide energy gap. The investigation shows the changes of optical transmission of ZnO sensing structures under influence of the atmosphere containing nitrogen dioxide.
EN
The paper presents the results of investigations concerning the application of zinc oxide - a wideband gap semiconductor in optical planar waveguide structures. ZnO is a promising semiconducting material thanks to its attractive optical properties. The investigations were focused on the determination of the technology of depositions and the annealing of ZnO layers concerning their optical properties. Special attention was paid to the determination of characteristics of the refractive index of ZnO layers and their coefficients of spectral transmission within the UV-VIS-NIR range. Besides that, also the mode characteristics and the attenuation coefficients of light in the obtained waveguide structures have been investigated. In the case of planar waveguides, in which the ZnO layers have not been annealed after their deposition, the values of the attenuation coefficient of light modes amount to a ≈ 30 dB/cm. The ZnO layers deposited on the heated substrate and annealed by rapid thermal annealing in an N2 and O2 atmosphere, are characterized by much lower values of the attenuation coefficients: a ≈ 3 dB/cm (TE0 and TM0 modes). The ZnO optical waveguides obtained according to our technology are characterized by the lowest values of the attenuation coefficients a encountered in world literature concerning the problem of optical waveguides based on ZnO. Studies have shown that ZnO layers elaborated by us can be used in integrated optic systems, waveguides, optical modulators and light sources.
6
38%
EN
This paper presents the results of investigations concerning input-output systems of an electromagnetic wave in the visible and near visible spectrum for their application in structures of integrated optics. The input-output structures used in described planar optical waveguides are in a form of prism and grating couplers. The first part of the paper contains numerical analysis of grating couplers aiming at an optimization of their geometrical parameters, strictly – the depth of the grooves in the grating coupler. The second part presents the practical realization, as well as experimental tests of the planar optical waveguide with the hybrid input-output system. As the input system of the electromagnetic wave, a prism coupler was used, and in the case of the output system – a photonic structure with grating coupler was applied. The investigated planar wave guides with the input-output structures were made of a wide energy band gap semiconductor – zinc oxide (ZnO).
PL
W artykule przedstawiono rezultaty badań hybrydowych układów wejścia wyjścia dla fali elektromagnetycznej z zakresu widzialnego i około widzialnego w strukturach optyki zintegrowanej. Przedstawione w publikacji hybrydowe układy wejścia-wyjścia dla falowodu planarnego wykorzystują sprzęgacz pryzmatyczny (układ wejścia), struktury fotoniczne ze sprzęgaczami siatkowymi (układ wyjścia). Ponadto w artykule zostały przedstawione rezultaty badań struktur sensorowych czułych na wybrane środowisko gazowe (amoniak oraz wodór). W pierwszej części publikacji zostały przedstawione badania numeryczne oraz eksperymentalne hybrydowych układów wejścia-wyjścia dla fali elektromagnetycznej w układach optyki zintegrowanej. W drugiej części publikacji przedstawiono rezultaty badań eksperymentalnych struktur sensorowych czułych na wybrane środowisko gazowe. Badane struktury falowodów planarnych, struktury fotoniczne oraz sensorowe zostały wykonane na bazie tlenku cynku (ZnO).
EN
This article presents the results of investigations concerning hybrid input- output systems of an electromagnetic wave in the visible and near visible spectrum for their application in structures of integrated optics. The hybrid input-output structures used in described planar optical waveguides are in the form of prism coupler (input system) and photonics structures grating couplers with spatial period Λ (output system). The first part of the paper contains numerical analyses as well as experimental results of the hybrid input-output system for light in planr waveguide applications. The second part of article presents the results of research gas sensors structures under influence of selected gas such as amonia and hydrogen in synthetic air enviroments. The investigated planar wavewuides with the hybrid input-output structures as well as gas sensors structures were made of a wide energy band gap semiconductor material - zinc oxide (ZnO).
PL
Przedstawiono wyniki komplementarnej charakteryzacji, technikami XRD i XAS, cienkich warstw Ti-Si-C osadzanych metodą wysokotemperaturowego magnetronowego rozpylania katodowego na podłożach szafirowych (00.1) z wykorzystaniem targetów pierwiastkowych Ti, Si i C. Badania dyfrakcyjne wykazały silną zależność składu fazowego warstw od wielkości mocy podawanych na poszczególne targety podczas ich osadzania, natomiast badania spektroskopii absorpcyjnej pozwoliły na określenie zmian w funkcji tej mocy lokalnego, uśrednionego porządku atomowego w otoczeniu atomów Ti i porównanie go z porządkiem jaki powinien występować w modelowym związku Ti₃SiC₂. Wykonano dwie grupy próbek: o relatywnie wysokiej mocy targetu Si i średniej targetu C oraz o względnie niskiej mocy targetu Si i wysokiej targetu C.
EN
This work presents the results of complementary use of XRD and XAS for the characterisation of thin Ti-Si-C films deposited via high temperature magnetron sputtering onto sapphire (00.1) substrates using elemental Ti, Si and C targets. The XRD studies showed a strong dependence of the phase composition of the films on the powers fed to the individual targets during deposition. The XAS studies enabled to determine the local atomic order in Ti neighbourhood and differences in averaged atomic order in function of power fed as compared to a Ti₃SiC₂ model. Two sample sets were fabricated, one with a relatively high power fed to the Si target and a medium power fed to the C target and the second where a relatively low power was fed to the Si target and a high one to the C target.
PL
W ramach artykułu zaprezentowaliśmy wyniki prac dotyczących kontroli struktury, morfologii, własności transportowych i optycznych cienkich warstw tlenku cynku (ZnO) wytwarzanych na drodze magnetronowego rozpylania katodowego. Wykorzystując zaawansowany reaktor rozpylania katodowego umożliwiający kontrolę parametrów procesu osadzania takich, jak temperatura podłoża, przepływ gazów, ciśnienie gazów, moc podawana na katody pokazujemy jaką rolę odgrywają poszczególne parametry w kontroli własności wytwarzanego materiału. Prezentujemy zarówno badania z zakresu podstawowego dotyczące domieszkowania monokrystalicznych cienkich warstw ZnO przy pomocy akceptorów Ag, jak i badania stosowane dotyczące inżynierii przerwy energetycznej w celu opracowania przezroczystych elektrod dla diod elektroluminescencyjnych UV czy prace nad wzrostem nanoporowatego ZnO dla zastosowań w czujnikach gazowych, biochemicznych oraz urządzeniach do magazynowania energii.
EN
In this work we present the results of studies on the control of structure, morphology, transport and optical properties of zinc oxide (ZnO) thin films fabricated by means of magnetron sputtering. using a state-of-the-art sputtering reactor enabling the control of such process parameters as: substrate temperature, gas flow, gas pressure and cathode power, we show the role of each parameter in controlling the properties of the deposited material. We present both basic research on doping monocrystalline ZnO films with Ag acceptors as well as applied research on band gap engineering for the development of transparent electrodes for UV LEDs or on the growth of nanoporous ZnO for applications in gas and biochemical sensors and energy storage devices.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.