Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Photoreflectance study of AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD process
100%
EN
In this paper we report the results of photoreflectance (PR) spectroscopy of GaN/AlGaN heterostructures used for realisation of high electron mobility transistors (HEMTs). For the proper operation of such structures a triangular quantum well created at the interface between GaN and AlGaN is required. Due to quantum confinement in this area 2DEG is created. The data obtained from PR technique allow to estimate a real shape of 2DEG confinement potential, what is necessary for verification of design and correctness of the growth process.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.