Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Każda wprowadzona lub planowana zmiana w organizacji i logistyce dostaw surowca, również buraków cukrowych do przerobu w cukrowniach, potrzebuje narzędzi pozwalających na ocenę zasadności wdrażanych rozwiązań. Właściwe zarządzanie organizacją i przebiegającymi w niej procesami wymaga wsparcia w postaci odpowiednich metod ich pomiaru oraz efektywności. Dopiero dostęp do jak najszerszej informacji umożliwia prowadzenie pełnej i bieżącej analizy poszczególnych procesów wraz z oceną ich wpływu na pozostałe elementy przedsiębiorstwa. Analiza efektywności to podstawowe narzędzie w kontekście pełnej konkurencyjności działań podejmowanych przez przedsiębiorstwa działające w danej branży. Artykuł prezentuje założenia metodyczne oraz wstępne wyniki badań nad tą problematyką.
EN
Each entered or planned change in the organization and logistics of supplies, including beet sugar factories for processing, needs tools for assessing the validity of the implemented solutions. Proper management of the organization and processes extending it requires support in the form of appropriate methods of measuring and efficiency. Only the widest possible access to information allows carrying out a full and ongoing analysis of individual processes, together with an assessment of their impact on other parts of the company. Effectiveness analysis is a basic tool in the context of fully competitive actions by companies operating in your industry. The paper presents the methodological assumptions and preliminary results of research on this topic.
PL
Właściwości diamentu jako półprzewodnika krystalicznego o szerokiej przerwie energetycznej przedstawiono w porównaniu do krzemu. W tym kontekście omówiono możliwości domieszkowania akceptorowego i donorowego diamentu, rezystywność elektryczną, przewodność cieplną, wytrzymałość na przebicie i prędkość nasycenia swobodnych elektronów i dziur. Przedstawiono wpływ temperatury, światła, pola magnetycznego i naprężeń mechanicznych na rezystywność i oszacowano wartość piezorezystywności diamentu. Wskazano, że diament jako półprzewodnik domieszkowany ma właściwości atrakcyjne do zastosowań elektronicznych w zakresie wysokich temperatur i dużych mocy cieplnych.
EN
Diamond as semiconducting, wide band gap crystalline material in comparision with silicon is reviewed. The acceptor and donor doping possibilities, electrical resistivity and thermal conductivity of diamond as well as high electric-field breakdown are discussed. The influence of temperature, light, magnetic field intensity and mechanical strain on electrical resistivity is reported. The range of piezoresistivity of diamond is estimated. It is concluded that diamond as impurity semiconductor can now be considered for a range of high power and heat resistant electronic devices.
PL
W artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych. Na podstawie wyników pomiarowych dostępnych w literaturze przedmiotu można wykazać, że przewidywana czułość proponowanego czujnika może być ok. 1000 razy większa niż czułość znanych i cenionych czujników wykorzystujących tranzystory MAGFET. Czujnik według nowej konstrukcji ma niezwykle małe wymiary i absorbuje małą moc. Artykuł składa się z krótkiego wstępu, opisu zasady działania nowego czujnika, oszacowania wrażliwości czujnika na pole magnetyczne oraz konkluzji.
EN
A novel, two-drain MOS transistor as a very sensitive magnetic field sensor is proposed. The sensor exploits the galvanomagnetic effect due to the Lorentz force on charge carriers in the transistor channel.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.