Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Department of High Pressure Research of Semiconductors

100%

Misiuk A.

|

tom z. 1/2

77-94

2

Department of High Pressure Research of Semiconductors

100%

Misiuk A.

|

tom z. 2

83-98

3

Department of High Pressure Research of Semiconductors

100%

Misiuk A.

|

2005

|

tom z. 1/2

82-92

4

Nauki o bezpieczeństwie – geneza, istota i perspektywy rozwoju

100%

Misiuk A.

Bezpieczeństwo i Technika Pożarnicza

|

2018

|

tom Vol. 50, iss. 2

16--26

PL

Cel: Celem artykułu jest przedstawienie zakresu samodzielności i komplementarności dyscypliny naukowej – nauk o bezpieczeństwie. Metody: W artykule wykorzystano metodę analizy systemowej oraz porównawczej. W pierwszym przypadku poddano badaniu kluczowe elementy systematyki naukowej w celu racjonalizowania efektów już wprowadzonych zmian oraz prognozowania skutków zmian planowanych, jakie mogą się pojawić w dynamicznie zmieniającym się otoczeniu. W drugim przypadku porównano modele systematyki naukowej w ujęciu dynamicznym. Wyniki: W artykule przedstawiono prawne aspekty usytuowania nowej dyscypliny naukowej, jaką są nauki o bezpieczeństwie, w systematyce nauki polskiej. Omówiono schematy tworzenia systematyk podziału dziedzin i dyscyplin naukowych oraz podstaw formalnych ich usamodzielnienia się. W Polsce przyjmuje się, że cała wiedza naukowa pod względem złożoności obszaru badań i problematyki jest ułożona według pewnej hierarchii. Największą jednostką jest obszar badań, który jest dość niedookreśloną platformą aktywności naukowej. W jego skład wchodzą dziedziny naukowe stanowiące logiczną i treściową, zwartą część nauki. Główna aktywność badawcza koncentruje się w ramach dyscypliny naukowej. Wyniki tej aktywności kształtują specyfikę tożsamości i celów badawczych. W artykule zdefiniowano uwarunkowania genezy nauk o bezpieczeństwie wynikające ze wzrostu zagrożeń dla bezpieczeństwa w wymiarze globalnym. Następnie przeanalizowano zainteresowania problematyką bezpieczeństwa w innych dyscyplinach naukowych i wynikające z tego powodu trudności z jednoznacznym określeniem tożsamości nauk o bezpieczeństwie. Wnioski: Autor zaproponował ujęcie funkcjonalne nauk o bezpieczeństwie, a więc takie, w którym zasadniczym problemem jest analiza związku między stanem bezpieczeństwa a zagrożeniami w kontekście stopnia ryzyka. Podjął próbę egzemplifikowania problemów badawczych, które powinny się znajdować w obszarze zainteresowania nauk o bezpieczeństwie, a którymi są: teoria bezpieczeństwa, rodzaje bezpieczeństwa, podmioty bezpieczeństwa, zagrożenia. Dyskusji o tożsamości nowej dyscypliny nie sprzyja stawianie tezy o jej interdyscyplinarności. Bardziej właściwe jest traktowanie badania różnych aspektów bezpieczeństwa przez pryzmat multidyscyplinarności, czyli udziału elementów różnych dyscyplin naukowych w procesie badawczym.

EN

Aim: To present the scope of independence and complementarity of the scientific discipline called security sciences. Methods: The article uses the method of systemic and comparative analysis. In the first case, the key elements of scientific taxonomy were analysed in order to rationalise the effects of already introduced changes and forecast the effects of planned changes that may occur in a dynamically changing environment. The second one compared models of scientific taxonomy using a dynamic approach. Results: The article presents the legal aspects of the location of security sciences as a new scientific discipline in the taxonomy of Polish science. The diagrams of creating the taxonomy of scientific fields and disciplines as well as the formal foundations of their separation are discussed. In Poland, it is assumed that all scientific knowledge in terms of the complexity of the research area and the subject matter are arranged according to a certain hierarchy. The largest unit is the research area, which is a fairly underdefined platform of scientific activity. It consists of scientific fields which constitute a logical and content-focused, exact part of science. The main research activities concentrate around scientific disciplines. Their results shape the specific characteristics of identity and research goals. The article defines the origin of this discipline resulting from the increase of security threats in the global dimension. Next, the interests in the subject of security in other scientific disciplines were analysed, along with the resulting difficulties resulting in the unambiguous identification of the identity of security sciences. Conclusions: The author proposed a functional approach to security sciences, where the fundamental problem is to analyse the relationship between the state of security and threats in the context of the degree of risk. He attempted to exemplify research problems that should be in the area of interest of security sciences: the security theory, types of security, security entities and threats. Furthermore, emphasising the interdisciplinary nature of security sciences is not beneficial for the identity of this new discipline. It is more appropriate to treat the study of various aspects of security through the prism of multidisciplinarity or the share of the components of different scientific disciplines in the research process.

5

Akredytacja Laboratorium Wojewodzkiego Inspektoratu Ochrony Roslin i Nasiennictwa w Poznaniu

51%

Blochowiak A. , Marciniak A. , Misiuk A.

|

nr 4

1556-1558

6

Photoluminescence of porous silicon in the light of defects in silicon substrate

51%

Surma B. , Misiuk A. , Wnuk A. , Brzozowski A.

Electron Technology

|

2000

|

tom Vol. 33, No. 4

592-596

EN

Photoluminescence (PL) of porous silicon (PS), prepared from commercial as-grown Czochralski silicon (Cz-Si) with initial oxygen concentration up to 1.1 ⋅10¹⁸ cm⁻³ and from that with intentionally introduced oxygen-related defects, has been investigated. Prior PS preparation, some Cz-Si substrates were pre-annealed/treated at up to 1620 K under hydraostatic pressure in the 10⁵ Pa ÷ 1 GPa range to create the oxygen-related defects. PL intensity is depended on the kind of substrate (wafer) and on the substrate defects. The enhancement of PL intensity has been stated for the PS samples prepared from Cz-Si pre-annealed at (720 ÷ 1220) K - 10⁵ Pa and short-time treated at 1620 K - (10⁷ ÷ 10⁹) Pa. The decreased PL intensity has been observed for the PS samples prepared from the Cz-Si substrate treated (1230 ÷ 1400) K - (10⁷ ÷ 10⁹) Pa. The observed phenomena are related to a comlex effect of oxygen precipitates and dislocations on silicon anodization.

7

Quantum chemical models of defects in thin silicon films

51%

Dzelme J. , Zapol B. P. , Misiuk A.

Opto-Electronics Review

|

2000

|

tom Vol. 8, No. 4

292-294

EN

Cluster models and quantum chemical methods were used to investigate electronic structure and properties of defects in silicon, including extended defects of crystals, such as surface and interphases dislocations, which create regions of compression anf strain. Pressure effect was simulated by reduction of the lattice constant. This approach is adequate for investigation of thin films. Reduce influence of chemical bonding and enhanced use of free volume during O migration under high pressures have been shown. The Si and O interstitial migration activation energies were estimated as 4.21 eV and 2.73 eV, respectively, the former being indifferent to pressure.

8

Pressure-assisted generation of thermal donors in doped Cz-Si

51%

Misiuk A. , Prujszczyk M. , Bak-Misiuk J. , Romanowski P.

|

2013

|

tom R. 89, nr 3b

261--263

EN

Generation of thermal donors (TD’s) in oxygen-containing Cz-Si, also admixed with N or Ge, annealed at about 720 K for up to 20 h, also under Ar hydrostatic pressure (HP) up to 1.4 GPa, was investigated by electrical and X-ray methods. Contrary to annealing at 723 K - 105 Pa, processing under HP leads to TD’s concentration peaking at the wider temperature range, it is also dependent on dopants present in Cz-Si. HP processing results also in other hitherto not known effects.

PL

Zbadano, przy zastosowaniu metod elektrycznych i rentgenowskich, generację donorów termicznych (TD’s) w zawierającym tlen CzSi, w tym domieszkowanym N lub Ge i wygrzanym w ok. 720 K przez czas do 20 godzin w warunkach wysokiego ciśnienia hydrostatycznego Ar (HP), do 1,4 GPa. W przeciwieństwie do efektu wygrzania Cz-Si w 723 K pod ciśnieniem 105 Pa, wygrzanie w warunkach HP prowadzi do zwiększonej koncentracji TD’s w szerszym zakresie temperatur i innych nieznanych dotąd efektów.

9

Effect of uniform stress on SiO2/Si interface in oxygen-implanted Si and SIMOX structures

51%

Misiuk A. , Bryja L. , Kątcki J. , Ratajczak J.

|

2002

|

tom Vol. 32, nr 3

397-407

EN

The effect of high temperature–hydrostatic pressure (HT–HP) treatment on SiO2/Si interface in oxygen-implanted (oxygen doses up to 2×1018 cm–2) silicon (Si:O) and reference silicon-on-insulator (SOI) samples has been investigated by the transmission electron microscopy (TEM) and the photoluminescence (PL) methods. The Si:O and SOI samples have been HT–HP treated at 1230–1570 K under argon pressure up to 1.23 GPa for 5 h. Depending on the dose of implanted oxygen and other implantation and HT–HP treatment conditions, the dispersed SiO2–x precipitates or buried SiO2 layer are created in the Si bulk. The HT–HP treatment affects the creation of dislocations and other defects at the SiO2/Si interface; this effect is related in part to a decreased misfit at the SiO2/Si boundary at HT–HP.

10

Defect structure changes in thin layers of semiconductors annealed under hydrostatic pressure

51%

Bąk-Misiuk J. , Misiuk A. , Domagała J.

|

2002

|

tom Vol. 32, nr 3

319-325

EN

The effect of annealing under enhanced hydrostatic argon pressure (1.2 GPa) on the defect structure of thin GaAs:Be, InAs and AlGaAs and on the layers grown on GaAs substrates was investigated by X-ray diffraction methods. The strain state of the homoepitaxial GaAs:Be layers remained unchanged after the high pressure–high temperature (HP–HT) treatment, but additional defects were created on primarily existing structural irregularities. The treatment of AIIIBV heterostructures resulted in the changed strain state and dislocation density, which are dependent on the bulk modulus of the layer and substrate materials.

11

Ujawnienie historii radiacyjnej napromieniowanego elektronami krzemu otrzymanego metodą Czochralskiego poprzez po-radiacyjną obróbkę termiczną

45%

Misiuk A. , Jung W. , Prujszczyk M. , Bak-Misiuk J. , Felba J.

|

tom R. 86, nr 7

29-31

PL

Domieszkowany borem krzem otrzymany metodą Czochralskiego (Cz-Si), o orientacji (001) i o koncentracji domieszki tlenowej ok. 9x1017 cm-3, został napromieniowany elektronami o energii 40 keV i dawkach do 2.5x1016 cm-2. W wyniku wygrzewania w temperaturze do 1400 K, także pod wysokim ciśnieniem (do 1,2 GPa) argonu, ulega wydatnej zmianie koncentracja elektronów przewodnictwa oraz struktura defektowa Cz-Si. Podano wyjaśnienie tego zjawiska i zaproponowano jego wykorzystanie do ujawnienia napromieniowania krzemu elektronami.

EN

Boron doped (001) orientated Czochralski grown silicon (Cz-Si) with concentration of oxygen interstitials of about 9x1017 cm-3, was irradiated with electrons (energy 40 keV, doses up to 2.5x1016 cm-2). In effect of annealing at 1400 K, also under high hydrostatic Ar pressure, up to 1.2 GPa, concentration of carriers in the conduction band and defect structure of Cz-Si are changing markedly. Explanation of this effect is proposed and its application for revealing the electron irradiation history of Cz-Si is suggested.

12

Influence of high pressure annealing on electrical properties of surface layer of neutron irradiated or germanium-doped Czochralski-grown silicon

38%

Jung W. , Misiuk A. , Londos C. A. , Yang D. , Antonova I. V. , Prujszczyk M.

|

2005

|

tom Vol. 35, nr 3

393-398

EN

The effect of annealing at 720-920 K under enhanced pressure (up to 1.1 GPa) in argon ambient on electrical properties of the surface layer of the Czochralski-grown silicon (Cz-Si) subjected to neutron irradiation (doses of up to 1x10>sup>17 cm-2, E = 5 MeV) or germanium doping (doping level 7x1017 cm-3) was investigated by electrical C-V, I-V and admittance method. The stress-induced decrease in electron concentration was observed in both p- and n-type samples after neutron irradiation and annealing under a pressure of 1.1 GPa at 720 K for 10 hours, while in the germanium doped samples an ascending dependence of the creation of thermal donors and lack of dependence of new donors on hydrostatic pressure was observed. The effects observed can be explained as resulting, among others, from the irradiation-induced defects (generation of thermal acceptors) and pressure stimulated creation of thermal donors in germanium-doped silicon.