Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Nowy typ przepływowego mikrokonduktometru bezkontaktowego

100%

Juchniewicz M. , Ekielski M. , Chudy M. , Brzózka Z. , Dybko A.

tom Vol. 49, nr 6

87-88

Przedstawione wyniki dotyczą prac nad konstrukcją mikrokonduktometru przepływowego z nowym typem elektrod. Opisano wykonanie mikrokonduktometrów z dwóch materiałów: szkła i polimeru oraz z połączenia tych materiałów. W konstrukcji wykorzystano i porównano ze sobą trzy rodzaje elektrod pomiarowych: srebrzone mikrokanały, mikrokanały wypełnione elektrolitem i mikrokanały jednocześnie posrebrzone i wypełnione elektrolitem. Działanie wykonanych mikrokonduktometrów sprawdzono podczas pomiarów przewodnictwa wzorcowych roztworów KCI o różnym stężeniu.

Presented results apply for works on construction of microfluidic conductometer with a new type of electrodes. Fabrication of conductometer from two materials was described: glass, polymer and combination of both of these materials. For construction, three types of electrodes were applied and compared: silver plated microchannels, microchannels filled with an electrolyte and microchannels simultaneously silver plated and filled with an electrolyte. Fabricated microconductometers were tested during the measurements of standard solutions with a different KCI concentrations.

Technologia tranzystorów HEMT na bazie azotku galu do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy i energoelektronice

100%

Taube A. , Kamińska E. , Ekielski M. , Piotrowska A. , Wojtasiak W.

tom Vol. 57, nr 8

90--97

W pracy przedstawiono wyniki prac badawczych nad technologią tranzystorów HEMT na bazie azotku galu prowadzonych w Instytucie Technologii Elektronowej. Omówione zostaną konstrukcje tranzystorów przeznaczonych do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy oraz do zastosowań w energoelektronice. Przedstawione zostaną wybrane elementy technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu Ammono-GaN m.in. wykonywanie izolacji za pomocą implantacji jonów oraz wykonywanie kontaktów omowych w procesie rewzrostu warstw GaN. Omówione zostaną wyniki prac nad zwiększeniem napięcia przebicia tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu krzemowym.

In this work the results of development of GaN-based HEMTs at Institute of Electron Technology are presented. The device structure suitable for application in microwave and power electronics will be discussed. Key technological steps, especially planar isolation by ion implantation and formation of low resistivity ohmic contacts are discussed along with the results of DC and RF electrical characterization of AlGaN/GaN HEMTs on Ammono-GaN. The results of works devoted to increasing the breakdown voltage of AlGaN/GaN-on-Si HEMTs will also be presented.

Hybrid photonics structures with grating and prism couplers based on ZnO waveguides

86%

Struk P. , Pustelny T. , Gołaszewska K. , Kamińska E. , Borysiewicz M. A. , Ekielski M. , Piotrowska A.

tom Vol. 21, No. 4

376-381

This paper presents the results of investigations concerning input-output systems of an electromagnetic wave in the visible and near visible spectrum for their application in structures of integrated optics. The input-output structures used in described planar optical waveguides are in a form of prism and grating couplers. The first part of the paper contains numerical analysis of grating couplers aiming at an optimization of their geometrical parameters, strictly – the depth of the grooves in the grating coupler. The second part presents the practical realization, as well as experimental tests of the planar optical waveguide with the hybrid input-output system. As the input system of the electromagnetic wave, a prism coupler was used, and in the case of the output system – a photonic structure with grating coupler was applied. The investigated planar wave guides with the input-output structures were made of a wide energy band gap semiconductor – zinc oxide (ZnO).