Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Detektory na bazie supersieci II rodzaju InAs/GaSb dla zakresu promieniowania średniej podczerwieni

100%

Kaniewski J. , Jasik A. , Sankowska I. , Czuba K. , Papis-Polakowska E. , Jureńczyk J. , Sakowicz M. , Regiński K.

tom Vol. 57, nr 8

27--34

Fotodetektory średniej podczerwieni wykorzystywane są w wielu zastosowaniach, np. wojskowych, medycznych czy przemysłowych. W ostatnich latach supersieci II rodzaju InAs/GaSb wykazały ogromny potencjał pozwalający na zastąpienie powszechnie wykorzystywanych przyrządów bazujących na HgCdTe. Niestety pomimo starań wielu grup badawczych nadal nie udało się w pełni wykorzystać ich możliwości. W pracy zaprezentowano obecny stan technologii wytwarzania fotodetektorów na bazie supersieci II rodzaju InAs/GaSb, pracujących w zakresie od 3 do 5 μm, w Instytucie Technologii Elektronowej (ITE). Opisane zostały kolejne etapy: krystalizacja supersieci, charakteryzacja struktur epitaksjalnych, technologia przyrządów oraz charakteryzacja elektryczna i optyczna detektorów. Na koniec porównano uzyskane parametry użytkowe fotodetektorów dostępnych komercyjnie i wytwarzanych w ITE.

Mid-infrared photodetectors are used in many industrial, medical and military applications. In recent years type II InAs/GaSb superlattices have shown great potential, which could allow them to substitute commonly used HgCdTe devices. Despite the effort of many research groups full capabilities of this material have not been utilized yet. In this paper an overview of type II InAs/GaSb photodetector (3–5 μm) technology in Institute of Electron Technology (IET) is presented. The following stages have been described: epitaxy of superlattices, characterization of epitaxial structures, processing and characterization of devices. At the end parameters of photodetectors manufactured in IET have been compared with those of commercially available devices.

Evaluation of an ATCA-based LLRF system at FLASH

80%

Simrock S. , Butkowski Ł. , Grecki M. , Jeżyński T. , Koprek W. , Jabłoński G. , Jałmużna W. , Makowski D. , Piotrowski A. , Sakowicz B. , Czuba K.

tom Vol. 1, nr 1

48-51

Future RF Control systems will require simultaneous data acquisition of up to 100 fast ADC channels at sampling rates of around 100 MHz and real time signal processing within a few hundred nanoseconds. At the same time the standardization of Low-Level RF systems are common objectives for all laboratories for cost reduction, performance optimization and machine reliability. Also desirable are modularity and scalability of the design as well as compatibility with accelerator instrumentation needs including the control system. All these requirements can be fulfilled with the new telecommunication standard ATCA when adopted to the domain of instrumentation. We describe the architecture and design of an ATCA based LLRF system for the European XFEL. Initial results of the demonstration of such a system at the FLASH user facility will be presented. Presented are the results of operating essential components of a prototype during the machine studies in January and March 2009.