Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

The influence of Ge on antiferromagnetic coupling in Fe/Si multilayers

100%

Wandziuk P. , Luciński T. , Kopcewicz M.

Materials Science Poland

|

2006

|

tom Vol. 24, No. 3

861--865

EN

The magnetic and structural properties of sputtered Fe/Ge, Fe/Ge/Si/Ge and Fe/Si/Ge/Si multilayers were studied. Magnetization measurements revealed the absence of antiferromagnetic coupling for Ge spacer. It was found that during the multilayer deposition a 0.5 nm thick Fe layer at each Fe/Ge interface became nonferromagnetic leading to formation of antiferromagnetic structures. Mössbauer spectra showed the existance of ferro- and/or antiferromagnetic structures at Fe/Ge interfaces, and ferromagnetic and paramagnetic structures at Fe/Si interfaces. We have found that substitution of Si by at least 0.5 nm of Ge in the 1.1 nm thick Si spacer led to disappearance of antiferromagnetic coupling in the Fe/Si multilayers.

2

Giant magnetoresistance in permalloy/copper multilayers

75%

Stobiecki F. , Luciński T. , Dubowik J. , Szymański B. , Urbaniak M. , Schmidt M.

|

tom Vol. 31, No. 1

80-87

EN

We repotr on giant magnetoresistance (GMR) and magnetization reversal process of face-to-face sputtered Ni83Fe17/Cu multilayers (Mls) with various sublayer thickneeses of copper (dCu) and permalloy (dPy). The maximum antiferromagnetic (AF) coupling and the GMR effect were found for samples with dCu≅1nm and 2nm. However, the dCu values corresponding to the largest field sensitivity of the GMR effect (S) were found to be different from those with the strongest AF exchange coupling. The maximum value of S≅0.6%Oe was obtained for Mls with dPy = 3.5nm and dCu = 2.1nm. It was also demonstrated that the Mls from the second AF coupling rangr (i.e., for dCu~= 2nm) show not only higher GMR than those from the first AF coupling range.

3

Transport elektronów przez nanozłącza formowane pomiędzy ostrzem ze złota i ferromagnetyczną nanostrukturą wielowarstwową (Ni₈₀Fe₂₀/Au/Co/Au) (sub)N

75%

Wróblewski M. , Wawrzyniak M. , Nowicki M. , Luciński T. , Błaszyk M. , Susła B.

|

tom Vol. 52, nr 6

65-67

PL

Skokowe zmiany przewodności elektrycznej zostały zaobserwowane w nanozłączach formowanych dynamicznie, pomiędzy ostrzem ze złota a wielowarstwową nanostrukturą magnetyczną (Ni₈₀Fe₂₀/Au/Co/Au) (sub)N. Korzystając z histogramów przewodności wykazano, że warstwy ferromagnetyczne nie modyfikują transportu elektronów przez nanozłącze, odbywa się on w sposób charakterystyczny dla nanozłączy ze złota. Magnetyczna struktura domenowa zoslała zobrazowana za pomocą mikroskopu sił magnetycznych (MFM). Przedstawiono rozkład domen dla dwóch grubości warstw kobaltu (1,4 nm oraz 0,8 nm). Wielkości domen dla tych warstw zależą od kierunku spontanicznego namagnesowania w warstwie Co.

EN

Conductance steps were observed in nanocontacts formed dynamically between gold tip and magnetic multilayer nanostructures (Ni₈₀Fe₂₀/Au/Co/Au) (sub)N. It was shown that ferromagnetic layers do not modify electronics transport in nanocontacts, it occurs the manner characteristic for gold nanocontacts. Magnetic domain structure was investigated by means of magnetic force microscope (MFM). For cobalt layers of thickness 1.4 nm and 0.8 nm domain distribution was shown. Domain size depends on the direction of the spontaneous magnetization vector in Co layer.

4

Ni80Fe20/Au/Co/Au multilayers as magnetic field sensors

75%

Stobiecki F. , Urbaniak M. , Szymański B. , Luciński T. , Schmidt M. , Aleksiejew J.

Materials Science Poland

|

2006

|

tom Vol. 24, No. 3

833--838

EN

Sputter deposited (Ni80Fe20/Au/Co/Au)N multilayers characterized by alternating easy-plane (Permalloy) and perpendicular (cobalt) anisotropy were investigated. Such films can be used as GMR sensors with linear R(H) dependence in a broad range of magnetic fields. The influence of NiFe, Au, Co layers thickness and repetition number N on GMR effect is discussed. We optimized the multilayer parameters for the application purposes.

5

Nowe struktury warstwowe wykazujące efekt gigantycznego magnetooporu.

63%

Stobiecki F. , Luciński T. , Dubowik J. , Szymański B. , Urbaniak M. , Smardz L. , Schmidt M. , Aleksiejew J.

|

tom T. 24, nr 4

285-295

PL

Przedstawiono fenomenologiczny opis efektu gigantycznego magnetooporu (GMR) w nanostrukturach warstwowych (grubości poszczególnych warstw układu warstwowego nie przekraczają 10 nm). Wykorzystując rezultaty wcześniejszych badań, dotyczących własności magnetycznych cienkich warstw, zaproponowano zastosowanie nowych materiałów w strukturach typu zawór spinowy. Zaprezentowano wyniki pomiarów magnetooporu dla struktur typu F1/NF/F2 (F1, F2 warstwy ferromagnetyczne o różnych polach koercji, NF metal nieferromagnetyczny). Wykazano, że w takich strukturach mogą znaleźć zastosowanie warstwy Ti/Co i NiO/Co jako materiały o odpowiednio małym i dużym polu koercji. Zademonstrowano również możliwość wykorzystania wielokrotnych warstw Fe/Si, wykazujących silne antyferromagnetyczne sprzężenie wymienne, jako sztucznego antyferromagnetyka w GMR-owskich strukturach warstwowych typu zawór spinowy. Wykonano układy warstwowe wykazujące w kolejnych subwarstwach ferromagnetycznych naprzemian anizotropię typu łatwa płaszczyzna i łatwa oś prostopadła do płaszczyzny warstwy. Pokazano, że w tym nowym rodzaju struktur warstwowych możliwe jest uzyskanie liniowej zależności oporu elektrycznego w funkcji pola magnetycznego.

EN

The phenomenological description of the giant magnetoresistance (GMR) effect in thin film nanostructures (thicknesses of individual layers are smaller than 10 nm) are presented. Basing on previously determined magnetic properties of thin films, new spin valve structures are proposed. The results of magnetoresistance measurements of F1/NF/F2 (F1, F2 and NF are ferromagnetic layers with different coercivity fields, and nonferromagnetic layers, respectively) structures are presented. It is demonstrated that in such structures Ti/Co and NiO/Co layers can be applied as the soft and hard magnetic layers respectively. The application of Fe/Si multilayers with strong antiferromagnetic coupling as artificial antiferromagnet in GMR structures is also documented. The layered structures with alternating in-plane and perpendicular anisotropy of ferromagnetic layers are proposed for magnetoresistive sensors with a linear dependence of electrical resistance versus magnetic field.