Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2 2016

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Amorficzne półprzewodniki tlenkowe dla elektroniki przezroczystej i elastycznej

100%

Kaczmarski J. , Taube A. , Borysiewicz M. , Myśliwiec M. , Boll T. , Stiller K. , Kamińska E.

2016

tom Vol. 57, nr 8

81--89

Przedmiotem badań są przezroczyste amorficzne półprzewodniki tlenkowe i przezroczyste tlenki przewodzące – unikatowa klasa materiałów elektronicznych łączących cechy amorficznej mikrostruktury i kontrolowanego przewodnictwa elektrycznego przy zachowaniu wysokiej transmisji optycznej w obszarze widzialnym. W ramach prac prowadzonych w Instytucie Technologii Elektronowej opracowano technologię wytwarzania przezroczystych amorficznych warstw In-Ga-Zn-O o kontrolowanych w szerokim zakresie właściwościach transportowych. Zrozumienie mechanizmów formowania się amorficznych warstw tego materiału oraz wpływu parametrów procesu osadzania na jego właściwości elektryczne umożliwiło wytworzenie stabilnych kontaktów prostujących oraz całkowicie przezroczystych tranzystorów MESFET na giętkich podłożach, w tym na folii i papierze. W przyszłości na bazie opracowanych przyrządów wytworzone zostaną zintegrowane telemedyczne systemy diagnostyki osobistej wykonane w formie elementów przyklejanych na skórę.

The subject of work is an unique class of materials, namely transparent amorphous oxide semiconductors. These combine amorphous microstructure and optical transparency in visible wavelength spectrum with controllability of electrical conductivity, resulting in conductive to highly-resistive thin films. Within the work performed at the Instytut Technologii Elektronowej the technology of transparent and amorphous In-Ga-Zn-O thin films was elaborated. Understanding the mechanisms of the amorphous phase formation and structure-property correlation paradigm allows us to fabricate reliable Schottky barriers and fully transparent thin-film transistors on such flexible substrates as foil and paper. The performed work is the basis for future research concerning integrated autonomous Point-of-Care patch-like systems.

Technologia cienkich warstw tlenku cynku o kontrolowanych własnościach strukturalnych, transportowych i optycznych

67%

Borysiewicz M. A. , Kamińska E. , Wojciechowski T. , Gołaszewska K. , Dynowska E. , Wzorek M. , Kruszka R. , Pągowska K. D. , Kwoka M. , Szuber J. , Boll T. , Stiller K. , Wojtowicz T. , Piotrowska A.

2016

tom Vol. 57, nr 8

75--80

W ramach artykułu zaprezentowaliśmy wyniki prac dotyczących kontroli struktury, morfologii, własności transportowych i optycznych cienkich warstw tlenku cynku (ZnO) wytwarzanych na drodze magnetronowego rozpylania katodowego. Wykorzystując zaawansowany reaktor rozpylania katodowego umożliwiający kontrolę parametrów procesu osadzania takich, jak temperatura podłoża, przepływ gazów, ciśnienie gazów, moc podawana na katody pokazujemy jaką rolę odgrywają poszczególne parametry w kontroli własności wytwarzanego materiału. Prezentujemy zarówno badania z zakresu podstawowego dotyczące domieszkowania monokrystalicznych cienkich warstw ZnO przy pomocy akceptorów Ag, jak i badania stosowane dotyczące inżynierii przerwy energetycznej w celu opracowania przezroczystych elektrod dla diod elektroluminescencyjnych UV czy prace nad wzrostem nanoporowatego ZnO dla zastosowań w czujnikach gazowych, biochemicznych oraz urządzeniach do magazynowania energii.

In this work we present the results of studies on the control of structure, morphology, transport and optical properties of zinc oxide (ZnO) thin films fabricated by means of magnetron sputtering. using a state-of-the-art sputtering reactor enabling the control of such process parameters as: substrate temperature, gas flow, gas pressure and cathode power, we show the role of each parameter in controlling the properties of the deposited material. We present both basic research on doping monocrystalline ZnO films with Ag acceptors as well as applied research on band gap engineering for the development of transparent electrodes for UV LEDs or on the growth of nanoporous ZnO for applications in gas and biochemical sensors and energy storage devices.