Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

IV Kaliskie Spotkania z Kultura. Dziedzictwo kulturowe. Warsztat geodety i architekta

100%

Kluska S.

|

nr 01

31-33

2

Przed nami XXXIV Zjazd Delegatow Stowarzyszenia Geodetow Polskich. Spotkanie z organizatorami obrad XXXIV Zjazdu SGP w Ustroniu

100%

Kluska S.

|

nr 05

8-10

3

Trzydziesci lat sesji nowosadeckich. XVI Sesja Naukowo-Techniczna z cyklu "Aktualne zagadnienia w geodezji" Nowy Sacz 2001

100%

Kluska S.

|

nr 10

26-30

4

Lider polskiej fotogrametrii prof.IGiK dr hab.Adam Linsenbarth obchodzil swoje jubileusze

100%

Kluska S.

|

tom 74

|

nr 01

28-30

5

Z okazji jubileuszowego egzaminu w Krakowie na tematy aktualne wypowiadaja sie byli szefowie polskiej sluzby geodezyjnej

100%

Kluska S.

|

tom 74

|

nr 05

26-30

6

Przyjazni polsko-czesko-slowackiej ciag dalszy

100%

Kluska S.

|

tom 74

|

nr 07

29-31

7

Uprawnienia zawodowe po nowemu

100%

Kluska S.

Przegląd Geodezyjny

|

2005

|

tom R. 77, nr 3

26-28

8

Jubileusz Warszawskiego Przedsiebiorstwa Geodezyjnego

100%

Kluska S.

|

tom 77

|

nr 08

24-25

9

Rozmowa z prezesem FSNT NOT dr.inz. Wojciechem Ratynskim

88%

Kluska S.

|

nr 05

6-7

10

Uprawnienia zawodowe w geodezji i kartografii w swietle nowych [zmienionych] przepisow

88%

Kluska S.

|

nr 04

23-29

11

Wklad polskiej geodezji w proces integracji europejskiej - ciekawy temat seminarium szkoleniowego w Katowicach

75%

Kluska S.

|

tom 75

|

nr 02

28-30

12

Kronika Stowarzyszenia Geodetow Polskich

75%

Kluska S.

|

tom 77

|

nr 09

30-31

13

Kronika Stowarzyszenia Geodetow Polskich

75%

Kluska S.

|

nr 11

29-31

14

O czym warto wiedziec skladajac wniosek o nadanie uprawnien zawodowych

63%

Kluska S.

|

tom 74

|

nr 02

30-31

15

Co slychac w Stowarzyszeniu Geodetow Polskich

63%

Kluska S.

|

nr 08

26-30

16

Co slychac w Stowarzyszeniu Geodetow Polskich

63%

Kluska S.

|

tom 75

|

nr 07

23-25

17

Wpływ parametrów procesu MWCVD na strukturę i właściwości warstw typu a-SiCxNy:H

51%

Kluska S. , Jonas S. , Kozak Ł.

Inżynieria Materiałowa

|

2006

|

tom Vol. 27, nr 5

1057-1060

PL

W niniejszej pracy zostały przedstawione wyniki badań wpływu parametrów procesu na strukturę i właściwości tribologiczne warstw a-SiCxNy:H. Warstwy te otrzymano na podłożu Si(001) metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganej mikrofalami MWCVD (2,45 GHz, 2 kW) z mieszanin reakcyjnych zawierających silan, metan, azot i wodór w różnych temperaturach i zmiennych wartościach mocy generatora MW (400 W--l kW). Badania struktury otrzymanych warstw przeprowadzono wykorzystując spektroskopię w podczerwieni (FTIR), skaningowy mikroskop elektronowy współpracujący ze spektrometrem promieniowania rentgenowskiego z dyspersją energii (EDS). Widma FTIR szczegółowo zanalizowano. W warstwach wyróżniono ugrupowania typu Si-C-N, Si-N, CH2, CH3, C-N, C=ON, NH2, NHn. Niektóre z pasm zanikają lub też ulegają przesunięciu wraz ze zmianą parametrów procesu, co dowodzi zmian struktury warstwy. Przeprowadzono badania właściwości tribologicznych otrzymanych warstw. Zużycie i współczynnik tarcia wyznaczono przy udziale tribotestera typu kula-tarcza. Uzyskane rezultaty wskazują, że warstwy zwiększają około dwukrotnie odporność podłoża na zużycie w badanym układzie.

EN

The results concerning an influence of the microwave chemical vapour deposition processing parameters on the structure and tribological properties of the silicon carbonitride layers are reported in this work. The a-SiCxNy:H layers have been deposited with MWCVD (2,45 GHz, 2 kW) method on Si(OOl) substrate using gas mixture of SiH4, CH4, N2,H2. The series of the layers have been obtained for various power of MW generator (400 W-l kW) and at the temperatures 800 °C and 1000 °C respectively. The structure and compositions of layers have been characterized with typical tools: Fourier-transform infrared (FTIR) spectroscopy, energy dispersion spectroscopy (EDS) and scanning microscopy (SEM). FTIR analysis indicates that Si-C-N, Si-N, CH2, CH3, C-N, C=N, NH2, NHn groups are present in the samples. It is indicated that the structure may change in accordance to the conditions of the synthesis. The bands assigned to some of the groups decay or dislocate for the samples deposited using various process parameters. The obtained layers have been subjected to the analysis of tribological properties. Wear and friction coefficient have been measured using tribotester type ball-disk. The layers improve (about twice) the wear resistance of the substrate in the applied laboratory conditions.

18

Struktura warstw a-SiC:N otrzymanych metodą RFCVD

51%

Kluska S. , Jonas S. , Moryc U. , Moryc U.

Inżynieria Materiałowa

|

2006

|

tom Vol. 27, nr 1

14-18

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu mocy generatora RF na strukturę warstw a-SiCN:H. W ostatnich latach wzrastajacym zainteresowaniem cieszą się warstwy SiCN ze względu na ich ciekawe chemiczne i fizyczne właściwości. Krystaliczne warstwy c-SiCN charakteryzują się wysoką twardością (do 30 GPa), odpornością na utlenianie (do 1600 stopni C), szerokim pasmem wzbronionym (2,8 - 3,8 eV). Amorficzne warstwy a-SiCN:H otrzymano przy użyciu metody chemicznego osadzania z fazy gazowej ze wspomaganiem plazmy generowanej przez fale o częstotliwości radiowej (13,56 MHz)- metoda EFCVD z reaktywnych mieszanin gazowych: SiH4, Ch4,N2,H2. Warstwy te osadzono na podłożach krzemowych Si(001) w temperaturze 400 stopni C przy różnych mocach generatora RF. W badaniach szczególną uwagę zwrócono na strukturę warstw otrzymywanych przy różnych mocach generatora RF. Badania przeprowadzono przy użyciu spektroskopii w podczerwieni. W badaniach FTIR wyróżniono ugrupowania Si-C, Si-N, CH3, CH2, C=N, C= N. Przeprowadzono również obliczenia teoretcznych widm spektroskopowych struktur zbudowanych z atomów Si-C-N przy zastosowaniu programu chemicznego Gaussian 98 z wykorzystaniem metody B3LYP/6-31G +(d, p).

EN

The present work contains results of investigations of the influence of the power of RF generator on the film structure ( a-SICN:H) during deposition. Silicon carbon nitride layers have attracted much attention in recent years because of their many excellent physical and chemical properties. Silicon carbonitride layers with highly desirable properties like high hardness (to 30 GPa for SiCN crystals) and chemical resistance are promising materials for high temperature applications. Cristalline-SiCN layers characterized high oxidation reistance (to 1600 degree Celsius), wide band gap (2.8 - 3.8 eV) and high termal conductivity. Amorphous hydrogenated silicon carbon nitride thin films were deposited on Si(001) substrates by radio frequency chemical vapour deposition (RFCVD) method using gas mixture of SiH4, Ch4, N2, H2. Amorphous SiCn:H films were obtained at temperature 400 degree celsius at various power of RF generator. The main attention of investigators was devoted to problem of the SiCN synthesis using different power of RF genarator and the study of structure layers obtained by RFCVD. The structure and composition of layers were characterized with Fourier-transform infrared (FTIR) spectroscopy. FTIR analysis indicates that S-C, Si-N, CH2, CH3, C-N and C=N bondes are presented in a-SiCN:H. The theoretical vibrational spectra of the Si-C-N-H structures have been calculated. All computations have been carried out with Gaussian 98 program package using B3LYP method and 6-31G+ (d, p) basis set.

19

Właściwości aplikacyjne amorficznych warstw na bazie krzemu podwyższające sprawność ogniw słonecznych

51%

Swatowska B. , Kluska S. , Panek P.

|

tom Vol. 54, nr 5

37-40

PL

W pracy przedstawiono omówienie najważniejszych, z punktu widzenia ich przyszłego zastosowania w ogniwach słonecznych, właściwości amorficznych warstw uwodornionych typu a-Si:C:H, a-Si:N:H czy też a-SiCN:H. Do wytwarzania wymienionych warstw zastosowano metodę chemicznego osadzania z fazy gazowej PECVD. Mieszaniny reakcyjne to: CH4+SiH4, NH3+SiH4 oraz CH4+SiH4+NH3. Analizie poddano właściwości strukturalne, morfologiczne i optyczne warstw. Określono zarówno ich skład chemiczny atomowy i wagowy, zawartość wiązań wodorowych, a także wyznaczono parametry optyczne:współczynnik załamania n, przerwę optyczną Eg oraz współczynnik odbicia efektywnego Reff. Uwzględniając rolę pokryć antyrefleksyjnych w ogniwach słonecznych analizowano wpływ wybranych parametrów warstw na właściwości aplikacyjne ogniw PV. Warstwa antyrefleksyjna o odpowiednim współczynniku załamania, grubości oraz współczynniku odbicia może podwyższyć sprawność ogniwa nawet o 30% względnych.

EN

This paper provides an overview of the most important characteristics of the hydrogenated amorphous layers type a-Si:C:H, a-Si:N:H and a-SiCN:H, of the points of view of their future applications in solar cells. For the preparation of these thin films was applied method of chemical vapor deposition PECVD. Gaseous mixtures used: CH4+SiH4, NH3+SiH4 and CH4+NH3+SiH4. The structure, morphology and optical properties of layers were analyzed. Defined in both their atomic and weight chemical composition, the content of hydrogen bonding, as well as optical parameters were determined: refractive index n, energy gap Eg, effective reflection coefficient Reff and thickness d. Taking into account the role of antireflective coatings for solar cells, the influence of selected parameters of layers on PV cells properties was analyzed. Antireflective coating of suitable refractive index, thickness and reflectance coefficient may increase cell efficiency by up to 30% relative.

20

Budowa i właściwości warstw typu a-SiCxNy

51%

Kluska S. , Zimowski S. , Jonas S. , Czyżewska A.

Inżynieria Materiałowa

|

2005

|

tom Vol. 26, nr 5

639-641

PL

Praca obejmuje badania wpływu nastaw generatora RFCVD na skład chemiczny, strukturę i odporność na zużycie amorficznych warstw zawierających w swym składzie: krzem, węgiel, azot, określanych w literaturze jako a-SiCxNy. Warstwy te otrzymano na (OOl)Si i stalowych kulkach łożyskowych przy wykorzystaniu metody chemicznego osadzania z fazy gazowej z użyciem plazmy generowanej przez fale radiowe (Radio Frequency Chemical Vapour Deposition-RFCVD; 13,56 MHz; 300W) z mieszaniny gazowej, zawierającej silan, metan, azot i wodór. Przeprowadzono badania składu chemicznego i struktury otrzymanych warstw wykorzystując metody: SEM, EDS i FTlR. Badania ścieralności próbek przez tarcie wykonano w styku kula-płaszczyzna na tribotesterze typu trzpień-tarcza oraz przy użyciu maszyny czterokulowej w ukladzie kula - trzy krążki.

EN

The present work contains the results of investigations of the influence of the power of RF generator on the chemical composition, structure and wear resistance of amorphous silicon carbonitride layers (a-SiCxNy:H). The layers were obtained on Si(OO 1) substrates and steel balls substrates by using Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition RFCVD (13,56 MHz, 300W) from gas mixture of silane, methane, nitrogen and hydrogen. The structure and composition of deposited layers were characterized with SEM, EDS and FTlR. The tribological measurements were done by using the tribotester of the type pin-disc and by using the Four-Ball Wear Tester.