Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Gospodarka odpadami poubojowymi w Polsce

100%

Rudziński M.

|

2001

|

tom nr 2

30-32

PL

Odpady poubojowe, powstające głównie w przemyśle mięsnym, oraz padlina wykorzystywane są jako surowiec w przemyśle utylizacyjnym. Zakłady utylizacyjne produkują mączki oraz tłuszcz techniczny na potrzeby przemysłu paszowego. Tłuszcz techniczny może być także wykorzystany w innych gałęziach przemysłu: w chemii gospodarczej, w przemyśle kosmetycznym, w przemyśle tworzyw sztucznych i w przemyśle farmaceutycznym.

2

Eksploatacja składowisk odpadów komunalnych

63%

Rudziński M. , Krzemińska Z.

|

tom nr 2

19-22

PL

Wprowadzenie od 1.01.2002 r. opłat za korzystanie ze środowiska obejmujących także składowanie odpadów komunalnych przyczyni się do ograniczenia strumienia odpadów kierowanych na składowiska. Oczekiwane zmiany w zakresie sposobu postępowania z odpadami komunalnymi będą następowały stopniowo, a składowanie może pozostać w najbliższych latach nadal głównym sposobem ich unieszkodliwiania. Z tego względu niezwykle istotna jest prawidłowa, tj. bezpieczna dla środowiska i zgodna z przepisami, eksploatacja składowisk.

3

Wpływ temperatury na charakterystyki widmowe luminoforów Y3Al5O12 domieszkowanych Ce

51%

Kraśniewski J. , Oleksy M. , Rudziński M. , Szysiak A.

|

tom R. 93, nr 8

114--116

PL

Diody LED emitują promieniowanie w wąskim zakresie widma. Natomiast światło, które ludzkie oko odbiera jako białe, zawiera fale świetlne z całego widma widzialnego od 425 nm do 675 nm. W produkcji tzw. białych diod LED najczęściej wykorzystuje się diodę niebieską, na której strukturę zostaje nałożona warstwa luminoforu. Na skutek tzw. przesunięcia Stokesa luminofor wzbudzany przez niebieską diodę emituje światło o rozkładzie widmowym zbliżonym do światła białego. W niniejszym artykule przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk widmowych luminoforów z proszku Y3Al5O12 domieszkowanych Ce w szerokim zakresie temperatur otoczenia.

EN

LED diode emit radiation in a narrow part of visible spectrum. On the other hand, light which is perceived by human eye as white contains light waves from whole visible spectrum roughly ranging from 425nm to 675nm. During manufacturing of so called white LEDs, usually a blue diode is used, with its semiconductor structure coated with yellow or orange phosphor. Because of so called Stokes shift, phosphor Excitated by blue LED emits light which spectral characteristic is closer to white light. In following paper, measurement results of spectral characteristics of Y3Al5O12 phosphore doped with Ce in wide temperature range are presented.

4

Monolityczny mikrofalowy układ scalony GaN/AlGaN

26%

Dobrzański L. , Caban P. , Kowalik A. , Podgórski J. , Rudziński M. , Góra K. , Jagoda A. , Stańczyk B. , Wojnowski D. , Kozłowski A. , Przyborowska K. , Lewandowski A. , Wiatr W. , Paszkiewicz R.

|

tom Vol. 56, nr 6

6-9

PL

Przedstawiamy opracowanie przyrządów HEMT (High Electron Mobility Transistors) z GaN/AlGaN, a następnie pierwszego w Polsce monolitycznego mikrofalowego układu scalonego, w którym zastosowano przyrządy HEMT z GaN/AlGaN. Opracowanie przyrządów HEMT. Sekwencja warstw epitaksjalnych tworzących strukturę tranzystora była następująca: bufor AlN, kanał GaN, warstwa Schottky’ego AlGaN oraz warstwa podkontaktowa GaN. Strukturę wyhodowano na podłożu szafirowym. Wzór izolacji oraz wzór obszarów drenów i źródeł uzyskano metodą litografii optycznej. Wzór bramki o długości 500 nm i 440 nm otrzymano metodą bezpośredniej elektronolitografii na powierzchni półprzewodnika. Izolację przyrządów uzyskano przez wytrawienie obszaru ‘mesa’ w plaźmie chlorowej. Metalizacja kontaktów tworzyła struktura wielowarstwowa Ti/Al/Ni/Au. Powierzchnię kanału zabezpieczono przez nałożenie warstwy pasywującej Si3N4. Wzmocnienie tranzystorów w pasmie S i X wynosiło odpowiednio 16 i 11 dB (MSG/MAG Maximum Stable Gain). W najlepszym z kilku opisanych wariantów konstrukcyjnych i technologicznych uzyskano częstotliwość graniczną fT = 30 GHz, częstotliwość graniczną fMAX = 30 GHz. Ponadto stwierdzono, że unilateralne wzmocnienie mocy (UPG) równa się jeden dla częstotliwości ok. 30 GHz. Uzysk wynosił 70% co odpowiada 3000 dobrych przyrządów z płytki o średnicy 2”. Opracowanie mikrofalowego monolitycznego układu scalonego (MMIC).Opracowano pierwszy w Polsce mikrofalowy monolityczny układ scalony (MMIC), klucz typu SPDT (Single Pole Double Throw) stosowany zazwyczaj w układach transciever’ów (klucz nadawanie-odbiór). Układ zbudowany jest z czterech tranzystorów HEMT o szerokości bram μm. W paśmie 0-4 GHz straty wtrącenia są mniejsze niż 2 dB, a izolacja lepsza niż 23 dB. Wykazano, że po zmianie konstrukcji układu i stosując tę samą technologię można uzyskać straty wtrącenia mniejsze niż 1 dB. Przedstawiony układ MMIC jest demonstratorem technologii, przy pomocy której można wykonać układy scalone o parametrach na poziomie komercyjnym.

EN

We present the development of HEMT (High Electron Mobility Transistors) and MMIC (Microwave Monolithic Integrated Circuit) made of GaN/AlGaN. Development of HEMTs. The sequence of epitaxial layers grown on sapphire substrate was as follows: AlN buffer, GaN channel, AlGaN Schottky and GaN contact cap. Isolation pattern and ohmic metal pattern were obtained by optical lithography. The gate was 500 nm and 440 nm long and was written using e-beam directly on semiconductor wafer. Then gate metal was evaporated and lifted off. The isolation was obtained by mesa etching in pure chlorine plasma. Ohmic contact consisted of a Ti/Al/Ni/Au sandwich. Finally Si3N4 passivation was made to protect exposed channel surface. Transistors operate in S and X band, showing 16 and 10 dB MSG/MAG gain respectively. For the best layout design transistors exhibited frequency fT=30 GHz, frequency fMAX = 30 GHz, and exhibited UPG=1 (unilateral power gain) for frequency 30 GHz. The yield was 70%, what corresponds to about 3000 good devices form one 2” wafer. Development of monolithic microwave integrated circuit (MMIC). We developed transistor switch of SPDT (Single Pole Double Throw) type which is used in transceivers. The circuit consists of four HEMT devices having gate width of 150 μm, gate length of 440 nm and drain source distance of 3 μm. In the 0-4 GHz bandwidth insertion loss is less than 2 dB and isolation is better than 23 dB. It was demonstrated that increase of the gate width of transistors will improve insertion loss value to the level of 1 dB.