W artykule opisano możliwości zastosowania tranzystorów wykonanych z azotku galu GaN do układów energoelektronicznych przekształtników energii elektrycznej DC/DC. Użycie tranzystorów w technologii GaN pozwala na uzyskanie wyższych częstotliwości łączeń i sprawności w porównaniu z układami opartymi na tranzystorach SiC. Zaprezentowany został układ przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie. Przedstawiono tematykę doboru dławika oraz materiały wykorzystywane na rdzenie dławików w przekształtnikach mocy. Zaprezentowane zostały przykładowe obecnie dostępne tranzystory w technologii GaN do zastosowań w energoelektronice. Autorzy przedstawili wyniki badań symulacyjnych zaprojektowanego układu przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie w technologii GaN.
EN
The article describes the possibilities of using gallium nitride GaN transistors in power electronic DC/DC converters. The use of GaN transistors allows higher switching frequencies and efficiency compared to systems based on SiC transistors. The DC/DC boost converter was presented. The topic of choke selection and materials used for choke cores in power converters are presented. Examples of currently available GaN transistors for power electronics applications have been presented. The authors presented the results of simulation tests of the designed DC/DC boost converter in GaN technology.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.