An attempt has been made to understand electronic structure and optical (lasing) properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QD) and to describe saturation effects in QD levels population. The new, improved rate equation model has been developed. The impact of carrier relaxation and level depopulation inside quantum dots on lasing properties, in particular on gain depressing, is discusse.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.