PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Parametry technologiczne stanowiska do monokrystalizacji SiC
100%
Orzyłowski M. , Rudolf Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
tom Vol. 50, nr 7
150-154
PL
W artykule jest omówiona konstrukcja oraz wyniki badań stanowiska do monokrystalizacji SiC, które zostało opracowane w ITR. Zbadane zostały możliwości zapewnienia właściwej atmosfery gazowej oraz sterowanie temperaturą procesu. Wykazano spełnienie wysokich wymagań czystości procesu oraz wymagań wysokiej jakości sterowanie programowanym ciśnieniem. Stwierdzono także możliwość kształtowania w dużym zakresie zmiennego gradientu temperatury w tyglu oraz wysoką jakość programowej regulacji temperatury tygla, uzyskane dzięki nowej konstrukcji układu grzejnego.
EN
The paper describes the construction and the results of testing of system for SiC monocrystallization developed in ITR. The tests include the gas atmosphere and the temperature of process tests. The assurance of high purity of the process and high quality pressure control are confirmed. Due to new construction of heating system the possibility of temperature gradient creation of the wide range and high quality temperature programmed control in the crucible were achieved.
2
Content available System automatycznego pomiaru i klasyfikacji czujników temperatury
80%
Orzyłowski M. , Kałużniacki T. , Rudolf Z. , Nowicki G.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2000
|
tom R. 46, nr 3
28-32
PL
Artykuł omawia budowę i oprogramowanie automatycznego systemu do kalibracji użytkowych czujników termometrycznych. System powstał w wyniku prac badawczych, prowadzonych nad konstrukcją elektrycznego pieca rurowego o odpowiednim rozkładzie pola temperatury w bloku pomiarowym, umieszczonym w tym piecu, oraz prac nad precyzyjnym pomiarem i regulacją temperatury. Badania były prowadzone w Przemysłowym Instytucie Elektroniki we współpracy z Politechniką Warszawską. Artykuł poświęca szczególna uwagę zagadnieniu dokladności pomiaru temperatury.
EN
The paper describes the hardware and software of an automatic system for calibration ofthe thermometric sensors. The system is based on research works, connected with construction of the tabular electric furnace of proper distribution of temperature field in the measurement insert, located in this furnace, and works devoted to the precise measurements and control of the temperature. The works was conducted at Industrial Institute of Electronics in collaboration with Warsaw technical University. The paper especially takes into consideration the problem of accuracy of temperature measurements.
3
Content available Estymacja ciśnienia w reaktorze do syntezy InP metodą HGF na podstawie pomiaru rozkładu temperatury
80%
Materna A. , Orzyłowski M. , Rudolf Z.
|
2006
|
tom T. 34, nr 3-4
40-61
PL
Omówiono budowę urządzenia do syntezy fosforku indu (InP) metodą HGF (Horizon-tal Gradient Freeze) wędrującego gradientu temperatury oraz podstawowe zagadnienia związane ze sterowaniem tym procesem. Opisano zagadnienie pożądanego rozkładu temperatury w strefie parowania fosforu. Przeprowadzono pomiary temperatury w tej strefie i zbadano powtarzalności tego rozkładu. Podsumowanie zawiera wnioski dotyczącej prawidłowej konstrukcji urządzenia oraz wymagań związanych z przygotowaniem i bezpiecznym prowadzeniem procesu syntezy InP.
EN
The aim of this work was the estimation of P pressure during InP synthesis process by HGF method in quartz reactor. It was done in high pressure multizone furnace. Design of furnace and P pressure control in quartz reactor by temperature profile control in furnace are described. Results of temperature measurements in phosphorus zone of reactor and their influence on evaporation dynamics are desired to obtain safety process of InP synthesis.
4
Rodzina stanowisk do kalibracji użytkowych czujników temperatury
80%
Kałużniacki T. , Orzyłowski M. , Rudolf Z. , Nowicki G.
|
2001
|
tom nr 146
65-68
5
Urządzenia do automatycznej kalibracji czujników temperatury
80%
Orzyłowski M. , Rudolf Z. , Nowicki G.
|
|
tom Vol. 43, nr 12
16-18
PL
Urządzenia, opracowane w Przemysłowym Instytucie Elektroniki (PIE) w Warszawie, zawierają ultratermostat oraz piece średnio- i wysokotemperaturowy. Artykuł prezentuje budowę tych urządzeń oraz automatyczne funkcje komputerowego układu sterowania i obróbki wyników pomiarowych.
EN
This paper describes systems for automatic calibration of industrial temperature sensors based on comparative method. The systems was worked out at the Industrial Institute of Electronics (PIE) in Warsaw. It consists of ultrathermostat and medium- and high-temperature furnaces. This paper presents construction of this systems and automatic functions of processing of measured data and computer control unit. It presents the results of temperature distribution measurements in thermostat and for various measurement inserts at selected temperature levels.
6
Systemy monitorowania i eliminowania zagrożeń bezpieczeństwa w procesach wytwarzania związków półprzewodnikowych
80%
Orzyłowski M. , Rudolf Z. , Witowski A. , Machalica P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2004
|
tom Vol. 45, nr 4
15-18
PL
Proces syntezy i polikrystalizacji związków półprzewodnikowych przebiega w hermetycznych reaktorach kwarcowych w temperaturze do 1250°C oraz przy cisnieniu dochodzącym do 3 MPa bez możliwości bezpośredniego pomiaru tych wielkości wewnątrz reaktora. Nieprawidłowości przebiegu procesu mogą doprowadzić do eksplozji lub implozji reaktora i w konsekwencji zniszczenia pieca oraz zanieczyszczenia wnętrz autoklawu przez substancje, które są agresywne, palne i trujace, np. biały fosfor. Ze względu na niemożliwość sterowania bezpośredniego przebiegiem procesu konieczne stało się pośrednie wieloetapowe sterowanie rozkładem temperatury wielosekcyjnego grzejnika. Opisano konstrukcję urządzenia i sposób jego sterowania oraz sposoby wykrywania obecności niebezpiecznych substancji na zewnątrz reaktora.
EN
The process of synthesis and polycrystallization of semiconductor compounds is realized in hermetic quartz reactors in temperature up to 1250°C and pressure up to 3 MPa without possibility of direct measurement of these variables inside reactor. The irregularities of the process realization can cause explosion or implosion and in consequence destruction of the furnace and contamination of the autoclave by chemicals which are aggressive, flammable and poisonous e.g. white phosphorus. Because of impossibility of direct control of process realization the multi-step indirect control of temperature distribution of the multi-section heater is necessary. The construction of the installation and way of the control and methods of detection of hazardous chemicals outside of the reactor are presented.
7
Urządzenie SKCT-99 do automatycznej kalibracji użytkowych czujników temperatury
80%
Orzyłowski M. , Kałużniacki T. , Rudolf Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2006
|
tom Vol. 47, nr 7
54-56
PL
Artykuł omawia budowę i parametry urządzenia SKCT-99 do kalibracji metodą porównawczą użytkowych czujników temperatury w zakresie temperatury 200...1300°C. Składa się ono z poziomego pieca rurowego, bloku pomiarowego, oferowanego w dwóch wersjach oraz komputera z oprogramowaniem sterującym i pomiarowym. Zaprezentowano także przykłady obliczeń niepewności kalibracji dla wybranych przypadków.
EN
The paper describes the construction and parameters of SKCT-99 apparatus for automatic calibration of industrial temperature sensors in 200...1300°C range by comparison method. The apparatus includes horizontal tubular furnace, measuring block offered in two versions and computer equipped with control and measuring software. The examples of uncertainty of calibration calculations for selected cases are presented also.
8
Stanowisko do monokrystalizacji SiC
61%
Łobodziński W. , Orzyłowski M. , Rudolf Z. , Orzechowski Z. , Kozłowski J. , Wiechowski J.
|
|
tom Vol. 49, nr 12
70-74
PL
Na wstępie artykuł omawia przebieg procesu monokrystalizacji węglika krzemu. Następnie prezentuje budowę stanowiska do tego celu oraz jego najważniejsze bloki składowe. Układ grzejny jest wykonany jako dwusekcyjny pionowy rurowy rezystancyjny piec grafitowy, pracujący do temperatury 2300 C i zasilany ze źródeł prądu stałego o mocy 60 kW. Piec jest umieszczony w komorze próżniowej. Ze względu na wymagania procesu oraz zastosowanie grafitowych grzejników i izolacji konieczne jest odpompowywanie komory pieca do poziomu wysokiej próżni, napełnienie jej gazem obojętnym oraz regulacja zmian poziomu próżni podczas procesu. Z tego względu artykuł omawia konfigurację i działanie układu wytwarzającego odpowiednią atmosferę komory pieca. Ostatnia część artykułu jest poświęcona układowi komputerowego sterowania stanowiskiem.
EN
The initial part of the paper describes the process of silicon carbide monocrystals production. Next the paper presents the construction of the system for this purpose and its most important blocks. The heating system is realized as two-section vertical tubular graphite resistance furnace working up to 2300 C and supplied from 60 kW DC sources. The furnace is placed in the vacuum chamber. For the sake of process requirements and graphite heaters and insulation application it is necessary to pump out the air from the chamber to high-vacuum level, fill it up by inert gas and control of vacuum level changes during the process . For these reason the paper describes the configuration and operation of the system providing the proper atmosphere of the furnace chamber. The last part of the paper is devoted to computer control system.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.