Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

2 Herman M. A.

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Epitaksja warstw atomowych w ultrawysokiej próżni : fizyka procesu i jego zastosowania

100%

Herman M. A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

tom Vol. 50, nr 1

28-30

W artykule zostały opisane podstawy procesu krystalizacji cienkich warstw epitaksjalnych znanego pod nazwą epitaksja warstw atomowych w ultrawysokiej próżni oraz wskazane zostały przykłady zastosowań tej metody w technologii struktur półprzewodnikowych występujących w przyrządach elektronicznych.

Principles of the ultrahigh vacuum atomie layer epitaxy crystallization technique are presented in this paper. Some examples of application of this techniquein technological processesof crystallization of semi-conductor structures oceurring in eleetronic devices have been discussed.

Optical techniques used for in-situ studies of MBE growth processes

100%

Herman M. A.

Opto-Electronics Review

1999

tom Vol. 7, No. 3

181-195

The principles and application possibilities of optical characterization techniques as applied to in-situ monitoring of MBE growth processes are presented and discussed in this review. Emphasis is put on comparison of the presented opticat techniques with other monitoring techniques, usually used in the MBE systems (e.g., RHEED technique). An optical probe (light beam) is noninvasive as nondestructive towards thin film structures grown by MBE, penetrating into (or through) these structures and the substrate crystal. Surface sensitivity of such a probe can be estimated from the optical absorption coefficient, which in semiconductors rarely exceeds 106 cm-1 and consequently implies optical penetration depths of A or more. Consequently, the surface typically contributes only about 1% to the total optical signal. Whether or not an optical probe is surface- sensitive or bul- sensitive depends on whether or not symmetry is used to suppress the ordinarily dominant bulk contribution to the overall optical signal. Laser interferometry, reflectance difference spectroscopy, and p-polarized reflectance spectroscopy are discussed in details, as applied to in-situ control of the MBE growth processes.