PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Bonding with atomic rearrangement – new possibilities in material and devices technology
100%
Hruban A. , Strzelecka S. , Wegner E. , Pawłowska M. , Gładki A. , Stępniewski R. , Jasiński J. , Bożek R.
|
|
tom Vol. 32, nr 3
355-364
EN
In this work we present the results of investigations into direct bonding of AIIIBV bulk wafers and/or epitaxial structures. A good quality junction of GaAs–GaAs, GaAs–InP, GaAs–GaP has been obtained. Bonding of GaAs/GaAlAs/GaAs epi-structures with GaAs bulk substrates enabled obtaining universal compliant substrates. On these substrates InAs epitaxial layers have been deposited. Properties of the structures have been examined by Nomarski microscopy, scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), atomic force microscopy (AFM) and X-ray diffractometry
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.