Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Metody analizy szumu telegrafistów przyrządów półprzewodnikowych

100%

Cichosz J. , Konczakowska A. , Stawarz-Graczyk B. , Szatkowski A.

tom R. 54, nr 3

91-94

Scharakteryzowano szum telegrafistów (Random Telegraph Signal - RTS), który może występować w szumie własnym przyrządów półprzewodnikowych, jako składowa niegaussowska. Podkreślono, że szum telegrafistów jest efektem defektów materiałów zastosowanych w produkcji przyrządów półprzewodnikowych lub nieprawidłowości procesu produkcyjnego. Przedstawiono metody identyfikacji wielopoziomowego szumu telegrafistów, na przykładzie przebiegów szumów własnych przyrządów półprzewodnikowych.

The Random Telegraph Signal noise which can occur in inherent noise of semiconductor devices as a non-Gaussian component is characterized. It was emphasized that the RTS noise is caused by defects of applied materials or manufacturing incorrectness. The methods of identification of multilevel RTS noise in an inherent noise of semiconductor devices are presented.

Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC

100%

Szewczyk A. , Konczakowska A. , Stawarz-Graczyk B.

tom Vol. 50, nr 6

13-15

Przedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych 3 prób diod Schottkyego produkcji CREE i 2 prób diod Schottkyego produkcji INFINEON. Stwierdzono, że charakterystyki przy polaryzacji diod w kierunku przewodzenia są w zasadzie identyczne, natomiast przy polaryzacji w kierunku zaporowym wykazują istotne różnice, szczególnie w zakresie napięć w kierunku zaporowym powyżej 600 V.

The static parameters measurements results of 3 sam pies of CREE SiC Schottky diodes and 2 sam pies of INFINEON SiC Schottky diodes are presented. Measured forward characteristics for each sample showexcellent reproducibility, whereas the reverse characteristics significantly differ for devices from each sampies, especially for reverse voltage higher than 600 V.

Oszacowanie korelacji między źródłami prądowymi zlokalizowanymi w bramce i drenie tranzystora MESFET SiC

100%

Cichosz J. , Stawarz-Graczyk B. , Szewczyk A.

tom T. 19

459-464

Przedstawiono metodę umożliwiającą szybką ocenę korelacji między szumami generowanymi w bramce oraz w drenie tranzystorów MESFET SiC. Badania przeprowadzono dla tranzystorów CRF-24010 firmy CREE. Korelację oszacowano z przebiegów czasowych szumów w zakresie małych częstotliwości (od 2 Hz do 2 kHz), przy trzech różnych wartościach prądu drenu: Id = 1; 5; 10 mA. Porównano wynik oszacowania korelacji (dziedzina czasu) z wyznaczoną dla tych samych przebiegów funkcją koherencji (dziedzina częstotliwości).

In the paper the method of fast estimation of correlation between gate current and drain current noise of SiC MESFET's was presented. The investigations were carried out on MESFET type CRF24010 (CREE). The correlation was estimated in the low frequency range (2 Hz ÷ 2 kHz), for three values of drain current: Id = 1; 5; 10 mA. The results of correlation estimation (time domain) were compared with the results of coherence function estimation (frequency domain).

The noise macromodel of an optocoupler including 1/fα noise source

88%

Stawarz-Graczyk B. , Cichosz J. , Konczakowska A.