Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

2 Przegląd Elektrotechniczny

2 2012

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Magnetotransport in nanostructured Ni films electrodeposited on Si substrate

100%

Fedotova J. , Saad A. , Ivanou D. , Ivanova Y. , Fedotov A. , Mazanik A. , Svito I. , Streltsov E. , Streltsov E. , Tyutyunnikov S.

Przegląd Elektrotechniczny

2012

tom R. 88, nr 4a

90-92

W pracy przedstawiono badania rezystywności . i magnetorezystancji MR w cienkich nanoziarnistych warstwach Ni, które wykonano w temperaturach z przedziału 2 - 300 K oraz indukcji pola magnetycznego B większej od 8 T. Warstwy Ni posiadały grubość około 500 nm i zostały wykonane za pomocą galwanizacji na wafle krzemu n-Si. Według dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego, w nowo wytworzonych cienkich warstwach uformowała się regularna struktura powierzchniowo centrowana o średniej wielkości ziaren 10 - 70 nm. Doświadczenia wykazały, że w cienkich warstwach Ni w zależności od MR i temperatury występują dwie główne cechy szczególne: (1) zależność od wzajemnej orientacji wektorów: indukcji pola magnetycznego B, kierunku prądu i płaszczyzny cienkiej warstwy, (2) dwie składowe MR - ujemna anizotropowa i dodatnia typu Lorenza.

The study of electrical resistivity �â and magnetoresistance MR in nanogranular Ni films was performed over the temperature range 2 - 300 K and at the magnetic field induction B up to 8 T. The Ni layers having a thickness of about 500 nm were prepared by electrodeposition on n- Si wafers. According to an X-ray diffraction study, a strongly textured face-centered cubic structure was formed in the as-deposited films with an average grain sizes of about 10 - 70 nm. Experiments have demonstrated that the magnetic field and temperature dependences of the MR effect in Ni films shown two main peculiarities: (1) dependencies on the mutual orientations of vectors B, current and the film plane; (2) two contributions to the MR - negative anisotropic magnetoresistance and positive Lorentz-like MR.

Gigantic magnetoresistive effect in n-Si/SiO2/Ni nanostructures fabricated by the template-assisted electrochemical deposition

71%

Fedotova J. , Saad A. , Ivanou D. , Ivanova Y. , Fedotov A. , Mazanik A. , Svito I. A. , Streltsov E. , Koltunowicz T. N. , Tyutyunnikov S.

Przegląd Elektrotechniczny

2012

tom R. 88, nr 7a

305-308

The study of the carrier transport and magnetotransport in n-Si/SiO2/Ni nanostructures with granular Ni nanorods embedded into the pores in SiO2 was performed over the temperature range 2 – 300 K and at the magnetic field induction up to 8 T. In n-Si/SiO2/Ni nanostructures at temperatures of about 25 K a huge positive MR effect is observed. Possible mechanisms of the effect is discussed.

Przeprowadzono badania mechanizmu przenoszenia ładunków i magnetoprzewodzenia w nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni z ziarnistymi nanocząstkami Ni rozmieszczonymi w porach SiO2 w zakresie temperatur 2 - 300 K oraz przy indukcji magnetycznej do 8 T. W nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni w temperaturze około 25 K zaobserwowano bardzo wyraźny dodatni efekt MR. Omówiono prawdopodobne mechanizmy pojawienia się opisanego efektu.