Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Struktura pasmowa i optyczne właściwości supersieci InAs/GaSb

100%

Machowska-Podsiadło E. , Jasik A. , Pierściński K. , Bugajski M.

2010

tom Vol. 51, nr 10

30-32

W pracy przedstawiono wyniki obliczeń stanów elektronowych w supersieciach II rodzaju wykonane dla trzech próbek, złożonych z 30 sekwencji warstw o grubości nominalnej 8 ML InAs/8 ML GaSb oraz zmierzone dla nich widma luminescencji (PL). Badane supersieci zostały wykonane metodą epitaksji z wiązki molekularnej na podłożu GaSb. Prezentowane widma PL są zgodne z wynikami przedstawionymi w pracy [1]. Krawędź absorpcji badanych supersieci otrzymano na poziomie 4,26 µm. Wyniki eksperymentu porównano z wynikami obliczeń numerycznych, wykonanych metodą opisaną, w pracy [2]. Stany elektronowe supersieci wyznaczono z uwzględnieniem mieszania się stanów dziur ciężkich (HH) oraz dziur lekkich (LH) na powierzchniach międzyfazowych pomiędzy warstwami supersieci. W obliczeniach uwzględniono zjawisko nieparaboliczności pasm, związane z wąską, przerwą energetyczną arsenku indu. Wyniki przeprowadzonych symulacji korespondują z wynikami otrzymanymi na podstawie eksperymentu.

In the work we present the results of the electron states calculation in the type-II superlattices. Calculations were performed for the three samples with the 30 layer sequence with the nominal thickness 8 ML InAs/8 ML GaSb. We also present the photoluminescence (PL) spectra measured for the investigated structures. The superlattices were grown on GaSb substrate with the use of molecular beam epitaxy. The measured PL spectra are in a good agreement with the results presented in the work [1]. The cutt-off wavelength of the investigated superlattices was obtained on the level of 4,26 µm. The experimental results were compared with the results of the numerical calculations which were performed with the use of the method presented in the work [2]. The electron states in the superlattice were calculated taking into account the effect of heavy hole and light hole mixing at the interfaces between InAs and GaSb layers. In the calculations we considered the effect of the nonparabolicity which is the consequence of the narrow InAs band gap. The results of calculation correspond with the results obtained from the experiment.

Charakterystyki progowe, wzmocnienie i własności optyczne laserów kaskadowych

75%

Pierściński K. , Pierścińska D. , Gutowski P. , Trajnerowicz A. , Karbownik P. , Bugajski M.

tom Vol. 55, nr 11

37-40

Praca ta przedstawia wyniki analizy elektrooptycznej kwantowych laserów kaskadowych zaprojektowanych na pasmo emisji 9–10 μm bazujących na heterostrukturach GaAs/AlGaAs. Charakteryzacja elektrooptyczna laserów kaskadowych obejmuje pomiary charakterystyk LIV (moc optyczna w funkcji prądu, charakterystyki prądowo napięciowe) oraz charakterystyk spektralnych.

This work presents results of electro-optical characterization of Quantum Cascade Lasers, designed to emit in 9–10 μm range, based on GaAs/AlGaAs heterostructures. Electro-optical characterization of QCLs includes measurements of Light- Current –Voltage curves and spectral characteristics.