PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
System do pomiaru szumów m.cz. analogowych przyrządów półprzewodnikowych
100%
Konczakowska A.
|
|
tom T. 8
931-938
PL
W referacie przedstawiono zagadnienia związane z konstrukcją systemów do pomiaru szumów m.cz. analogowych przyrządów półprzewodnikowych. Przytoczono typowe parametry opisujące właściwości sygnałów szumowych. Podano najważniejsze warunki jakie muszą być spełnione przy pomiarach szumów własnych analogowych przyrządów półprzewodnikowych. Zaprezentowano idealny system pomiarowy i podano wytyczne umożliwiające dobór przyrządów półprzewodnikowych do przedwzmacniacza małoszumowego stanowiącego najważniejszy podzespół systemu pomiarowego.
EN
The problems of construction of systems for low frequency noise measurements of analog semiconductor devices were presented. The typical functions for noise evaluations were described. The conditions of low frequency noise measurements of analog semiconductor devices, which have been filled, were pointed. The ideal measurement system was described and detailed conditions of low frequency preamplifier were described.
2
Content available Metody analizy szumu telegrafistów przyrządów półprzewodnikowych
51%
Cichosz J. , Konczakowska A. , Stawarz-Graczyk B. , Szatkowski A.
|
|
tom R. 54, nr 3
91-94
PL
Scharakteryzowano szum telegrafistów (Random Telegraph Signal - RTS), który może występować w szumie własnym przyrządów półprzewodnikowych, jako składowa niegaussowska. Podkreślono, że szum telegrafistów jest efektem defektów materiałów zastosowanych w produkcji przyrządów półprzewodnikowych lub nieprawidłowości procesu produkcyjnego. Przedstawiono metody identyfikacji wielopoziomowego szumu telegrafistów, na przykładzie przebiegów szumów własnych przyrządów półprzewodnikowych.
EN
The Random Telegraph Signal noise which can occur in inherent noise of semiconductor devices as a non-Gaussian component is characterized. It was emphasized that the RTS noise is caused by defects of applied materials or manufacturing incorrectness. The methods of identification of multilevel RTS noise in an inherent noise of semiconductor devices are presented.
3
Przeprowadzenie prób obejmujących miernictwo i charakteryzację opracowanych elementów, przyrządów i prototypowych podukładów funkcjonalnych zgodnie z obowiązującymi normami : zadanie 4. projektu "Nowe Technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wysokich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur"
51%
Konczakowska A. , Gwarek W. , Napieralski A. , Zarębski J.
|
|
tom Vol. 47, nr 9
10-12
PL
Przedstawiono w postaci zadań przebieg oceny właściwości statycznych, dynamicznych, termicznych i szumowych komercyjnych elementów i przyrządów z SiC. Bardziej szczegółowo opisano pomiary parametrów i charakterystyk termicznych. Określono, że wynikiem prac będą stanowiska laboratoryjne do badań właściwości statycznych, dynamicznych, termicznych i szumowych komercyjnych wytworzonych w ramach projektu elementów i przyrządów z SiC, wyniki pomiarów ww. parametrów i charakterystyk, modele elektryczne i termiczne elementów i przyrządów, wnioski z aplikacji elementów i przyrządów z SiC w przetwornikach DC/DC i układach mikrofalowych.
EN
The investigations concerned on static, dynamic, thermal and noise properties evaluations for commercial SiC components and devices were presented. The measurements of thermal parameters and characteristics were detailed described. The results of investigations as: laboratory systems for static, dynamic, thermal and noise parameters and characteristics measurements and evaluations, complex results of measurements mentioned above parameters and characteristics, electrical and thermal models for SPICE, conclusions from typical applications of SiC components and devices (DC/DC converters, microwave circuits), are expected.
4
Budowa i badania prototypowych podukładów funkcjonalnych elektronicznych i energoelektronicznych, w tym wysokotemperaturowych wykorzystujących opracowane elementy i przyrządy : zadanie 3. projektu "Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wysokich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur"
51%
Konczakowska A. , Barlik R. , Zymmer K.
|
|
tom Vol. 47, nr 9
12-14
PL
Przedstawiono zalety wynikające z zastosowania przyrządów z SiC w elektronicznych i energoelektronicznych układach w stosunku do stosowanych obecnie przyrządów, głównie z Si. Krótko omówiono proponowane do realizacji na bazie przyrządów z SiC układy: dwukierunkowych łączników półprzewodnikowych, trójgałęziowego sześciołącznikowego mostka sterowanego przy użyciu metod modulacji szerokości impulsów PWM, trójfazowego układu mostkowego PWM, układów regulacji silników prądu stałego, zasilaczy DC/DC, układów mikrofalowych. Podano przewidywane wyniki realizacji układów.
EN
The main advantages of SiC components and devices applying in electronic and power electronic units are presented in compare with applying Si devices. The units proposed to investigations were shortly described. There are: the bidirectional semiconductor switches, the three-arm six-switch PWM controlled bridge 0,5 kW rated in low voltage version and 5 kW rated in high voltage version, the three phase PWM controlled bridge in low and high voltage version with hybrid switches, the control system of the DC current electrical motors. The expected results of investigations were presented.
5
Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC
51%
Szewczyk A. , Konczakowska A. , Stawarz-Graczyk B.
|
|
tom Vol. 50, nr 6
13-15
PL
Przedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych 3 prób diod Schottkyego produkcji CREE i 2 prób diod Schottkyego produkcji INFINEON. Stwierdzono, że charakterystyki przy polaryzacji diod w kierunku przewodzenia są w zasadzie identyczne, natomiast przy polaryzacji w kierunku zaporowym wykazują istotne różnice, szczególnie w zakresie napięć w kierunku zaporowym powyżej 600 V.
EN
The static parameters measurements results of 3 sam pies of CREE SiC Schottky diodes and 2 sam pies of INFINEON SiC Schottky diodes are presented. Measured forward characteristics for each sample showexcellent reproducibility, whereas the reverse characteristics significantly differ for devices from each sampies, especially for reverse voltage higher than 600 V.
6
Content available The noise macromodel of an optocoupler including 1/fα noise source
44%
Stawarz-Graczyk B. , Cichosz J. , Konczakowska A.
|
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.