Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2012

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Spektroskopia pojemnościowa głębokich poziomów defektowych (DLTS) w diodach Schottkyego z węglika krzemu (4H-SiC) implantowanych jonami

100%

Gielczuk Ł. , Dąbrowska-Szata M.

tom Vol. 53, nr 2

12-15

W pracy przedstawiono wyniki badań elektrycznie aktywnych głębokich poziomów defektów wykrytych w diodach Schottky'ego na bazie 4H-SiC typu n, implantowanych jonami Al*, za pomocą metody niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów (DLTS). W badanych strukturach wykryto obecność pięciu głębokich pułapek elektronowych i wyznaczono ich charakterystyczne parametry elektryczne, takie jak: energia termicznej aktywacji, przekrój czynny na wychwyt nośników i koncentracja. Nie zaobserwowano natomiast żadnych pułapek dziurawych, związanych z implantacją jonami i wygrzewaniem poimplantacyjnym. Dominujący pik sygnału DLTS przypisano obecności głębokiego centrum Z1/Z2, podstawowego rodzimego defektu występującego w strukturze SiC, ograniczającego potencjalne zastosowanie tego materiału w przyrządach dużej mocy.

In the paper, DLTS study of electrically active deep-level defects revealed in the n-type and ion implanted 4H-SiC Schottky diodes was presented. In the investigated structures, five majority deep-level electron traps were revealed and their fundamental parameters, such as thermal activation energy, capture cross section and trap concentration were determined. Any minority hole traps were not observed, as it was expected after ion implantation and post-implantation annealing processes. The dominant broad peak E4/E5 was attributed to the Z1/Z2 deep-level defect, i.e. primary intrinsic defect in SiC structures, which is known to limit considerably common applications of these structures in high-power devices.