Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Diagnozowanie bez wstępnej informacji o stanie technicznym obiektu

100%

Szczepański P.

|

tom Vol. 54, nr 1

17-27

PL

Streszczenie. W pracy zwrócono uwagę na współbieżność wartości prawdopodobieństw wystąpienia rozróżnialnych stanów technicznych obiektu ze strukturą wzajemnych połączeń jego elementów. Porównując obecnie stosowany z zaproponowanym sposobem wykorzystania wartości prawdopodobieństw występowania jego możliwych stanów technicznych Mm, wskazano uzupełniającą rolę tego drugiego sposobu względem pierwszego. To uzupełnienie może dotyczyć zwłaszcza diagnozowania obiektów z niezdatnościami mnogimi - obiektów, których struktura charakteryzuje się obecnością elementów wielowyjściowych lub obecnością elementów nacechowanych dużą wadliwością. W pracy rozważono przede wszystkim obiekty, dla których każdy ich element będzie się uważać za niezdatny, jeśli wszystkie jego sygnały wejściowe będą dopuszczalne, natomiast sygnał wyjściowy - niedopuszczalny. Przyjęto przy tym, że sygnał wyjściowy elementu jest niedopuszczalny, jeśli co najmniej jeden z jego sygnałów wejściowych jest niedopuszczalny.

EN

A link between probability of appearance of distinguishable technical states of the object having structure of the mutual connections of its elements is discussed. Comparison of the presently used method with the one proposed to apply the probabilities of appearing its Mm possible technical states shows the complemental role of the second way in respect to the first one. This complement can be connected with diagnostics of the objects by multi uselessness of the objects, the structure of which is characterized by the presence of the multi-output elements or the presence of the elements having many defects. There were mainly discussed the objects with each element considered as if all theirs input signals are permitted while the output signal is not permitted. It also assumed that the output signal of the element is not permitted if at least one of its input signal is not permitted.

2

Teoria wielomodowej pracy lasera z ośrodkiem aktywnym w postaci kryształu fotonicznego o sieci kwadratowej

63%

Koba M. , Szczepański P.

|

tom Vol. 49, nr 9

69-78

PL

W artykule przedstawiono połklasyczny opis generacji promieniowania w laserze posiadającym ośrodek aktywny w postaci kryształu fotonicznego. Model uwzględnia pracę zarówno jednomodową jak i wielomodową. Przedstawiono warunki stabilności generacji dla struktury laserowej posiadającej aktywny kryształu fotonicznego o sieci kwadratowej.

EN

This article describes generation of radiation in photonic crystal laser with square lattice in semiclassical manner. Presented model takes into account singlemode as well as multimode processes. The stability conditions for both single and multimode operations are expressed for active photonic crystal with square lattice.

3

Analityczny model gęstości stanów w strukturze jednowymiarowego kryształu fotonicznego

51%

Rudziński A. , Szczepański P. , Tyszka-Zawadzka A.

|

tom Vol. 48, nr 7

49-53

PL

Przedstawiono prosty, w pełni analityczny model gęstości stanów w strukturze jednowymiarowego kryształu fotonicznego. Prezentowany model umożliwia analizę wpływu parametrów i defektów kryształu na jego właściwości, dzięki czemu stanowi narzędzie odpowiednie zarówno do badania, jak i projektowania tego typu struktur dla różnych zastosowań. W ogólnej postaci może być on zastosowany do obliczeń dla dowolnych struktur wielowarstwowych.

EN

We present a simple, fully analytical model of density of states in one-dimensional photonic crystal structure. The introduced model allows to investigate the impact of the parameters and defects of the photonic crystal on its properties, thus being a tool adequate for both research and designing of this type of structures for diversified applications. In its general form, the model can be used in calculations for arbitrary multilayer structures.

4

Investigation and modelling of rare-earth activated waveguide structures

45%

Woliński W. , Malinowski M. , Mossakowska-Wyszyńska A. , Piramidowicz R. , Szczepański P.

|

5

Photonic integrated circuits - a new approach to laser technology

38%

Piramidowicz R. , Stopiński S. , Ławniczuk K. , Welikow K. , Szczepański P. , Leijtens X. , Smit M.

|

tom Vol. 60, nr 4

683-689

EN

In this work a brief review on photonic integrated circuits (PICs) is presented with a specific focus on integrated lasers and amplifiers. The work presents the history of development of the integration technology in photonics and its comparison to microelectronics. The major part of the review is focused on InP-based photonic integrated circuits, with a short description of the potential of the silicon technology. A completely new way of fabrication of PICs, called generic integration technology, is presented and discussed. The basic assumption of this approach is the very same as in the case of electronic circuits and states that a limited set of standard components, both active and passive, enables designing of a complex, multifunctional PIC of every type. As a result, functionally advanced, compact, energy efficient and cost-optimized photonic devices can be fabricated. The work presents also selected examples of active PICs like multiwavelength laser sources, discretely tunable lasers, WDM transmitters, ring lasers etc.