Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Anizotropia trawienia i piezorezystancji w kryształach półprzewodników : przykłady wykorzystania w przyrządach MEMS

100%

Łysko J. M.

|

2008

|

tom Vol. 49, nr 2

77-87

PL

Podstawowe właściwości krystalograficzne zostały zaczerpnięte z literatury do opisu anizotropowych właściwości kryształu krzemu-anizotropowego trawienia i zjawiska piezorezystancji, które również jest funkcją kierunku krystalograficznego. Te właściwości anizotropowe są szeroko stosowane w krzemowych technologiach MEMS. Stosując model dwuwektorowego anizotropowego trawienia w roztworach alkalicznych można wyjaśnić powody różnic szybkości trawienia w różnych kierunkach krystalograficznych krystalicznego podłoża, jak również prawie idealnie atomowąjakość powierzchni uzyskiwaną po anizotropowym trawieniu. Model piezorezystancji zaproponowany przez Bira i Pikusa został wykorzystany do oszacowania współczynników piezorezystancji technologii opracowanej w ITE dla czujników przyspieszenia i ciśnienia. Zaprezentowano kilka przykładów krzemowych struktur wytworzonych przy użyciu trawienia anizotropowego.

EN

Basic crystalographic properties from the literaturę are taken to describe two anisotropic properties of the silicon crystal-anisotropic etching and piezoresistance effect, which is also crystal direction dependent. These anisotropic properties are widely used in silicon MEMS techology. Two-vector model of anisotropic etching in alkaline solution is proposed. With use of this model one can explain difference between etch rates in different crystallographic directions of the crystal substrate, as well as almost perfect atomie grade surface quality obtained after anisotropic etching. Bir and Pikus piezoresistance model is applied to estimate piezoresistance coefficients for the given technology developed for the acceleration and pressure sensors in ITE. Several examples of the silicon chips which were fabricated with use of etching anisotropy phenomena are presented.

2

Zjawisko piezorezystywności w krzemowych przyrządach mikromechanicznych

100%

Łysko J. M.

|

2000

|

tom z. 9/10

31-62

PL

Przedstawiono fizyczne podstawy zjawiska piezorezystywności. W oparciu o model pasmowy półprzewodników opisujący wpływ mechanicznego oddziaływania na sieć krystaliczną, strukturę energetyczną pasma przewodnictwa, walencyjnego i poziom Fermiego krzemu obliczono współczynnik piezorezystywności itL dla rzeczywistego przyrządu produkowanego w Instytucie Technologii Elektronowej w Warszawie. Uzyskany wynik jest zbliżony do wyników wyekstrahowanych z komputerowej symulacji, pomiarów i eksperymentów wykonanych z użyciem struktur próbnych. Przytoczone równania pozwalają na obliczenie kilku innych parametrów mechaniczno-elektrycznych przyrządów, na przykład πT i TCR. Wobec licznych błędów, spotykanych i powtarzanych w kolejnych publikacjach zajmujących się tematyką piezorezystywnych czujników (ciśnienia, przyspieszenia, siły), ponownie przeprowadzono szczegółową analizę zjawiska w ujęciu fenomenologicznym. Wyprowadzono równania pozwalające obliczyć współczynniki pierwszego rzędu piezorezystywności πL i πT

3

Właściwości użytkowe czujników przyspieszenia

63%

Łysko J. M. , Stolarski E.

|

tom nr 3

16-20

4

Czujniki przyspieszenia. Cz. 1, Wybrane czujniki dostępne w handlu

63%

Łysko J. M. , Stolarski E.

|

tom nr 2

27-30

5

Czujniki przyspieszenia. Cz. 2, Wybrane czujniki znajdujące się na etapie prac badawczych

63%

Łysko J. M. , Stolarski E.

|

tom nr 3

15-19

6

Miniaturowe krzemowe czujniki ciśnienia

45%

Łysko J. M. , Gniazdowski Z. , Latecki B. , Koszur J. , Jaźwiński J.

|

2000

|

tom nr 5

26-29

7

HBV deep mesa etching in InGaAs/InAlAs/AlAs heterostructures on InP substrate

38%

Górska M. , Wrzesińska H. , Szerling A. , Hejduk K. , Ratajczak J. , Łysko J. M.

|

tom Vol. 23, No. 1

221--226

EN

The chemical composition of newly developed anisotropic etching solution and several experimental results obtained with heterostructure barrier varactor (HBV) deep mesa formation are presented. The novel solution enables the deep etching of the InGaAs/InAlAs/AlAs heterostructure over InP substrate, up to 5 žm in the [100] crystal direction. It ensures etch-stop at the InP substrate and gives almost perfect surface quality, with mesa profiles meeting device design requirements. The etching solution is a mixture of two components: A (H2SO4:H2O2:H2O = 1:1:8) and B (C6H8O7:H2O = 1:1), in the proportion B:(H2O2 content in A) =1:1.