In this study, kinetics of the static (SRX) and metadynamic recrystallization (MDRX) of AISI4135 steel was investigated using hot torsion tests. Continuous torsion tests were carried out to determine the critical strain for dynamic recrystallization (DRX). The times for 50% recrystallization of SRX and MDRX were determined, respectively, by means of interrupted torsion tests. Furthermore, austenite grain size (AGS) evolution due to recrystallization (RX) was measured by optical microscopy. With the help of the evolution model established, the AGS for hot bar rolling of AISI4135 steel was predicted numerically. The predicted AGS values were compared with the results using the other model available in the literature and experimental results to verify its validity. Then, numerical predictions depending on various process parameters such as interpass time, temperature, and roll speed were made to investigate the effect of these parameters on AGS distributions for square-diamond pass rolling. Such numerical results were found to be beneficial in understanding the effect of processing conditions on the microstructure evolution better and control the rolling processes more accurately.
PL
W pracy badano kinetykę statycznej (SRX) i metadynamicznej (MDRX) rekrystalizacji stali AISI4135 w próbie skręcania. Ciągłe próby skręcania wykonano w celu wyznaczenia krytycznych odkształceń dla dynamicznej rekrystalizacji (DRX). Czasy do 50% rekrystalizacji SRX i MDRX zostały wyznaczone w dwustopniowych próbach skręcania. Dodatkowo, zmiany wielkości ziarna austenitu (AGS) spowodowane rekrystalizacja były mierzone na mikroskopie optycznym. Stosując opracowany model ewolucji mikrostruktury, wyznaczona została wielkość ziania austenitu przy walcowaniu na gorąco prętów ze stali AISI4135. Wyznaczone wartości AGS został}1 porównane z wynikami otrzymanymi z dostępnego w literaturze modelu i z wynikami doświadczeń, które posłużyły do weryfikacji modelu. "Następnie określono wpływ takich parametrów jak czas przerwy, temperatura i prędkość walcowania na rozkład AGS przy walcowaniu w układzie przepustów kwadrat-romb. Wyniki numerycznej symulacji ułatwiły zrozumienie wpływu warunków procesu na rozwój mikrostruktury i bardzie] dokładne sterowanie procesem stało się możliwe.
3
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
A new readout structure for infrared (IR) focal plane arrays (FPA) is presented in this paper. By applying a new input circuit of current mirroring direct injection (CMDI), we realised a high-performance readout circuit for IRFPA. It was found from the SPICE simulation that the CMDI inherently makes the detector bias stable as well as has almost 100% injection efficiency to the readout circuit from the detector even for low RDA values because it has almost zero input impedance. Compared with previous other input circuits, it has also many advantages such as small area and low power consumption. A readout chip including the CMDI inputt circuit has been designed and fabricated for MWIR 1x128 staggered linear HgCdTe infrared detector arrays using 1.2 um single-poly-double-metal N-well CMOS technology. From the measurement results of the fabricated chip, the readout function was successfully verified at 77 K with 5 V supply voltage.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.