PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Komputerowe wspomaganie eksperymentu
100%
Rosowski A. , Podgórski J.
Elektronika : prace naukowe
|
2002
|
tom nr 7
161-174
PL
W niniejszym artykule zostały przedstawione zagadnienia związane z komputerowym wspomaganiem współczesnego eksperymentu. Szczególna uwaga została zwrócona na możliwości tworzenia aplikacji pomiarowych z wykorzystaniem środowiska LabView firmy National Instrument. Został również przedstawiony projekt przykładowego systemu pomiarowego wspomaganego komputerowo, realizowanego w Zakładzie Przyrządów Półprzewodnikowych.
EN
It is difficult to imagine the modern world without computers and all the benefits they bring. Thanks to them, many branches of science and life gained completely new possibilities, which contributed to their doubtless development and even introduced a completely new quality. One of these branches is, without any doubts, physical experiment. Nowadays, practically every experiment carried out, from simple didactic experiments to advanced scientific research, makes use of the abilities of computer support. This situation changes our attitude towards the ways of carrying out experiments and towards the areas of computers' use. In this article issues connected with planning and creating the modern experiment and the abilities of its computer support have been presented. Special attention has been drawn to the possibility of creating measurement applications by means of the graphic programming environment "Lab View" of the company National Instrument. It has been compared to those used currently in order to present its advantages and disadvantages. The project of a hypothetical measurement system with computer support, executed by the Institute of Semiconductor Devices, has been presented here as well.
2
SMIS : nowa struktura unipolarna
100%
Rosowski A. , Lisik Z.
|
|
tom Vol. 47, nr 11
59-64
PL
Zaprezentowane zostały wyniki symulacji statycznych nowych struktur półprzewodnikowych, określanych jako struktury SMIS. Struktury te należy zaliczyć do grupy przyrządów unipolarnych z izolowaną bramką które wykorzystują właściwości prostujące złącza metal - półprzewodnik. Zaprezentowano podstawowe charakterystyki jednego z przyrządów typu SMIS i podstawowe zjawiska fizyczne istotne dla tego rodzaju struktur. Otrzymane wyniki zestawiono z symulacjami klasycznej struktury tranzystora MOS o analogicznych parametrach konstrukcyjnych.
EN
The results of numerical simulations of novel unipolar semiconductor structure called SMIS have been presented. The structure belongs to the family of isolate gate control devices, in which the rectifier metal - semiconductor junction is applied to form source or dren contacts. The results concerns the steady-state featurs of one of such SMIS structures and have been compared with the results obtained for clasical MOS structure having the same construction parameters.
3
Numeryczny model struktury SMIS
100%
Lisik Z. , Rosowski A.
Elektronika : prace naukowe
|
2005
|
tom nr 10
79-96
PL
W artykule zaprezentowane zostały wyniki symulacji statycznych nowej struktury półprzewodnikowej SMIS oraz jej modyfikacji. Strukturę tę należy zaliczyć do grupy przyrządów unipolarnych z izolowaną bramką, które wykorzystują własności prostujące złącza metal - półprzewodnik. W pracy zaprezentowane zostały podstawowe charakterystyki badanego przyrządu SMIS i jego modyfikacji oraz wpływ parametrów konstrukcyjnych na nie. Omówione zostały także podstawowe zjawiska fizyczne istotne dla tej struktury. Otrzymane wyniki zostały zestawione z symulacjami klasycznej struktury tranzystora MOS o analogicznych parametrach konstrukcyjnych.
EN
This paper presents simulation of SMIS (Schotty MISFET) and SB-MOS (Schottky Barrier MOS). The SMIS structure replaces the doped source and ohms contact of conventional MOS with contact with Schottky barrier. On the basic of the SMIS structure are made a new semiconductor power device - SV MOS (Schottky Vertical MOS). The SB-MOS structure replaces the doped source and drain and ohms contact with contact with Schotty Barrier. This simple change provides numerous performance, manufacturability and cost advantages compared to competing silicon MOS architecture. This architecture provides numerous and broad benefits, which are highly relevant considering the industry's roadmap and technology challenges in both the near and long term. Technology benefits include scalability to the sub-10nm channel length regime. Remarkably, this is accomplished using a manufacturing process that is simpler and requires fewer masks than conventional silicon CMOS, a feature not found in other competing transistor technologies.
4
Content available remote Ocena wpływu pola elektromagnetycznego na organizm człowieka
70%
Pacholski K. , Pawlak R. , Rosowski A. , Henrykowska G. , Buczyński A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
tom R. 88, nr 2
60-63
PL
Wpływ pola elektromagnetycznego (PEM) na organizm ludzki może być określany m.in. poprzez obserwacje obrazu krwinek płytkowych. Badania takie z udziałem autorów realizowane były dotąd przy zastosowaniu kosztownej aparatury stacjonarnej. W artykule zaprezentowano koncepcję mikroukładu pomiarowego, którego podzespoły elektromechaniczne z materiałów ceramicznych wytworzone będą z wykorzystaniem technologii laserowej. Przedstawiono wyniki mikroobróbki elementów z ceramiki alundowej nanosekundowymi impulsami lasera światłowodowego.
EN
The influence of electromagnetic field on human body can be determined among other by observations of platelets picture. Investigations, also with the authors participation, were performed so far using expensive stationary equipment. New idea of measurement microsystem which electromechanical elements of ceramic will be produced using laser technology is presented in the paper. Micromachining results of alumina ceramic parts obtained by nanosecond pulses of fiber laser are shown.
5
Content available remote Ogniwa fotowoltaiczne o niekonwencjonalnych kształtach
51%
Pawlak R. , Kawczyński R. , Korzeniewska E. , Lebioda M. , Rosowski A. , Rymaszewski J. , Sibiński M. , Tomczyk M. , Walczak M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
tom R. 89, nr 7
288--292
PL
W artykule przedstawiono opracowaną w Instytucie Systemów Inżynierii Elektrycznej Politechniki Łódzkiej innowacyjną metodę laserowego cięcia ogniw krzemowych według zadanej trajektorii, co umożliwia wytworzenie fotowoltaicznych elementów dekoracyjnych o dowolnych kształtach. Uzyskano zadowalającą jakość krawędzi cięcia i nieznaczny wpływ wiązki laserowej na zmiany struktury warstw aktywnych ogniwa. Badania wyciętych elementów ogniw potwierdziły nieduży wpływ procesu cięcia na wyznaczone charakterystyki i parametry prądowe.
EN
In the paper the innovative method of laser cutting silicon photovoltaic cells by given trajectory developed in the Institute of Electrical Engineering Systems Lodz University of Technology is presented that allows production of photovoltaic decorative elements of any shape. The satisfactory quality of cutting edge and negligible impact of laser beam on the structure changes of active layers of the photovoltaic cells was obtained. The study confirmed the small impact of cutting process on the characteristics and current parameters.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.