Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

SIMS study of low energy implantation

100%

Hereć J. , Filiks J. , Sielanko J.

Nukleonika

1999

tom Vol. 44, nr 2

103-110

The paper presents the results of direct, low energy implantation investigations, using the SIMS apparatus. The retained dose for the Cu and Ag samples as a function of irradiation dose of the Cs+and K+ ions, as a primary beam was measured. From such relation the range profiles of implanted ions were calculated. The comparisons with the results of the computer simulation and analytical theory are also presented.

W pracy zostały przedstawione wyniki badań dotyczące implantacji niskoenegetycznej przeprowadzone przy użyciu spektrometru mas jonów wtórnych. Dokonane zostały pomiary zależności dawki jonów Cs+ lub K+ zaimplantowanych do tarczy Cu i Ag od dozy jonów pierwotnych (Cs+lub K+) bombardujących powierzchnie próbki. Na podstawie otrzymanych krzywych nasycenia sporządzono profile głębokościowe zaimplantowanych jonów. Porównano również wyniki otrzymane z symulacji komputerowej z danymi uzyskanymi w oparciu o model analityczny.

Negative ion source for SIMS application

88%

Hereć J. , Filiks J. , Sowa M. , Sielanko J. , Mączka D.

Nukleonika

1999

tom Vol. 44, nr 2

119-128

The paper presents a modification of the thermal emission Cs+ ion source used for SIMS spectroscopy purposes. The source was modified in such a way that both the positive ion beam (in thermal emission mode), and the negative one (in sputter mode) may be emitted by the source. The mass spectra of both beams are shown and analysed. Also comparison of the secondary ion mass spectra obtained for negative and positive primary ion beams is presented.

Praca prezentuje modyfikację termoemisyjnego źródła jonów wykorzystywanego w spektrometrze SIMS. Konstrukcja termoemisyjnego źródła jonów dodatnich została zmieniona, tak by mogło ono pracować jako źródło jonów ujemnych, przy wykorzystaniu zjawiska rozpylania. Zaprezentowane i omówione zostały widma mas dla wiązki jonów dodatnich i ujemnych. Porównano także widma mas jonów wtórnych dla tarcz bombardowanych wiązką jonów dodatnich i ujemnych.

Wyznaczanie rozkładów głębokościowych domieszek metodą PIPE

63%

Pyszniak K. , Gluba Ł. , Turek M. , Droździel A. , Filiks J. , Wójtowicz A. , Żuk J. , Mączka D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

tom Vol. 52, nr 11

50-52

Omówiono zastosowanie metody PIPE (Particie Induced Photon Emission) do wyznaczania rozkładów głębokościowych domieszek. Omawiana metoda pozwala również na dość dokładne wyznaczanie współczynników rozpylania... Artykuł zawiera opis stosowanej aparatury, krótkie omówienie procedury pomiarowej, oraz porównanie otrzymanych wyników z symulacjami komputerowymi.

The application of PIPE (Particle Induced Photon Emission) method for dopant depth profiling is described. The method gives also a possibility to determine sputtering yields for targets. The paper contains the description of an experimental setup and the applied method, as well as the comparison of the obtained results with computer simulations.