Technologia i charakteryzacja struktur tranzystorów cienkowarstwowych (TFT)

• Autorzy: Krysiński, A. , Taube, A. , Gołaszewska, K. , Śmietana, M. , Mroczyński, R. , Szmidt, J.

Warianty tytułu

EN

Technology and characterization of thin-film transistors (TFT)

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki prób opracowania technologii struktur tranzystorów cienkowarstwowych (TFT) opartych o warstwy wytwarzane metodą chemicznego osadzania z fazy lotnej wspomaganego plazmą (PECVD). Do najważniejszych zadań tej pracy należał wybór optymalnego procesu osadzania warstw dielektryka bramkowego oraz półprzewodnika amorficznego. Funkcje tych warstw pełniły, odpowiednio, warstwy tlenko-azotku krzemu (SiOxNy) oraz amorficznego krzemu (a-Si). Uzyskane wyniki charakteryzacji elektrycznej pierwszej serii wykonanych struktur testowych TFT pokazały duże możliwości opracowanej w IMiO PW technologii. Uzyskano napięcia progowe gotowych struktur tranzystorowych na poziomie UTH ~ 3 V, natomiast nachylenie charakterystyki prądowo-napięciowej w zakresie przedprogowym wyniosło SS ~ 400 mV/dec, co jest jednym z najlepszych wyników spotykanych w literaturze.

EN

In this study there are presented, the results of tries attempts of thin-film transistors (TFT) technology development based on layers fabricated by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). In the course of this work the optimization of gate dielectric, as well as amorphous semiconductor layer deposition was one of the most important task. Silicon oxynitride (SiOxNy) and amorphous silicon (a-Si), respectively, were used as those layers. The first results obtained from the analysis of electrical characteristics of fabricated TFT test structures have demonstrated a great promise of the optimized at IMiO PW technology. The threshold voltage UTH~3V and subthreshold swing SS ~ 400mV/dec values were obtained, which are ones of the best results found in literature.

Słowa kluczowe

PL

tlenko-azotek krzemu (SiOxNy); krzem amorficzny (a-Si); TFT; PECVD; charakterstyka elektryczna

EN

silicon oxynitride (SiOxNy); amorphous silicon (a-Si); TFT; PECVD; electrical characterization

• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2012
• Tom: R. 88, nr 11b
• Strony: 1-4
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Krysiński, A.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki,
• Politechnika Warszawska, Instytut Technologii Elektronowej

autor

Taube, A.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki,
• Politechnika Warszawska, Instytut Technologii Elektronowej

autor

Gołaszewska, K.

• Politechnika Warszawska, Instytut Technologii Elektronowej,

autor

Śmietana, M.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki,

autor

Mroczyński, R.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki,

autor

Szmidt, J.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki,

Bibliografia

• [1] Sturm J.C. et al., Amorphous silicon: The other silicon, 12th International Conference on Ultimate Integration of Silicon (ULIS), Cork, Irlandia, (2011)
• [2] Kamiya T. et al., Present status of amorphous InGaZnO thinfilm transistors, Sci. Techn. Adv. Mater. 11, (2010)
• [3] Peng T.C. et al., Characterization of DC reactive magnetron sputtered NiO films using spectroscopic ellipsometry, Applied Surface Science 257, (2011)
• [4] Ling Wang et al., Self-Heating and Kink Effects in a-Si:H Thin Film Transistors, IEEE Transactions on electron devices, vol. 47, no. 2, (2000)
• [5] Zhang Hao et al., Characteristics of bottom gate a-Si TFT array for AM-OLEDs, J Shanghai Univ (Engl Ed), 15(4), (2011)