Ogniwa PV III generacji z krzemu amorficznego (a-Si) budowane w technologii HJT

• Autorzy: Kamil Andruszkiewicz , Ryszard Tytko
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

W ogniwach standardowych PV typu PERC warstwy półprzewodnikowe typu p i typu n są utworzone na tym samym materiale bazowym, krystalicznym krzemie, są więc urządzeniami homozłącznymi. Natomiast ogniwa heterozłączowe wytwarzane są przez połączenie dwóch różnych rodzajów materiałów. W ogniwach fotowoltaicznych HJT (różnozłącza - heterozłącza) połączenie jest utworzone między krystalicznymi a bezpostaciowymi (a-Si) materiałami krzemowymi (technologia - cienkowarstwowa). Nazywane są ogniwami PV III generacji. (abstrakt oryginalny)

Słowa kluczowe

PL

Energia elektryczna; Energia słoneczna; Energia odnawialna; Technologie wytwarzania; Parametry techniczne

EN

Electric power; Solar energy; Renewable energy; Manufacturing technologies; Technical parameters

• Czasopismo: Aura
• Rocznik: 2021
• Numer: nr 12
• Strony: 12-13

Twórcy

autor

Kamil Andruszkiewicz

• Politechnika Białostocka

autor

Ryszard Tytko

• Eco Investment Sp. z o.o.

Bibliografia

• [1] Tytko R. Fotowoltaika. Wydanie V, 2021, Wydawnictwo i Drukarnia Towarzystwa Słowaków w Polsce, Kraków.
• [2] www.hanplast.com
• [3] www.ecoabm.pl