Opto-Electronics Review - Tom Vol. 11, No. 2 (2003) - Biblioteka Nauki - Yadda

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

Vol. 11, No. 2

Czasopismo

Opto-Electronics Review

Wydawca

Rocznik

2003

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

Vol. 11, No. 2
- artykuł: Optical crystals survived in information technology systems (Miyazawa S.), s. 77-84
- artykuł: High power quantum cascade lasers grown by GasMBE (Razeghi M., Slivken S.), s. 85-91
- artykuł: Conductivity type conversion in p-CdxHg1-xTe (Berchenko N. N., Bogoboyashchyy V. V., Izhnin I. I., Kurbanov K. R., Vlasov A. P., Yudenkov V. A.), s. 93-98
- artykuł: HgCdTe epilayers on GaAs : growth and devices (Varavin V. S., Vasiliev V. V., Dvoretsky S. A., Mikhailov N. N., Ovsyuk V. N., Sidorov Y. G., Suslyakov A. O., Yakushev M. V., Aseev A. L.), s. 99-111
- artykuł: Kinetics of photoluminescence of porous silicon studied by photo-luminescence excitation spectroscopy and time-resolved spectroscopy (Łukasiak Z., Dalasiński P., Bała W.), s. 113-117
- artykuł: Designing of possible structures of nitride vertical-cavity surface-emitting lasers (Maćkowiak P., Czyszanowski T., Sarzała R. P., Wasiak M., Nakwaski W.), s. 119-126
- artykuł: Single-photon devices in quantum cryptography (Nakwaski W., Sarzała R. P., Wasiak M., Czyszanowski T., Maćkowiak P.), s. 127-132
- artykuł: Control of ferromagnetism in Cd1-xMnxTe quantum wells (Tatarenko S., Bertolini M., Maslana W., Boukari H., Gilles B., Cibert J., Ferrand D., Kossacki P., Gaj J. A.), s. 133-138
- artykuł: Simulation of threshold operation of GaInNAs diode lasers (Sarzała R. P., Maćkowiak P., Wasiak M., Czyszanowski T., Nakwaski W.), s. 139--142
- artykuł: Analysis of VLWIR HgCdTe photodiode performance (Wenus J., Rutkowski J., Rogalski A.), s. 143-149
- artykuł: Conductivity anisotropy of CdHgTe MBE layers with a periodic surface microrelief (Voitsekhovskii A. V., Kokhanenko A. P., Nesterovich N. V., Varavin V. S., Dvoretsky S. A., Sidorov Y. G., Mikhalov N. N.), s. 151-154
- artykuł: New mid-infrared optical sources based on isotropic semiconductors (zinc selenide and gallium arsenide) using total internal reflection quasi-phase-matching (Haidar R., Kupecek P., Rosencher E., Triboulet R., Lemasson P.), s. 155-160
- artykuł: Spectral detectivity and NETD of doping-spike PtSi/p-Si and GeSi/Si HIP detectors (Voitsekhovskii A. P., Kokhanenko A. P., Nesmelov S. N.), s. 161-167
- artykuł: Multilayer strained Si/SiGe structures: fabrication problems, interface characteristics, and physical properties (Orlov L. K., Horvath Z. J., Ivina N. L., Vdovin V. I., Steinman E. A., Orlov M. L., Romanov Y. A.), s. 169-174

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.