Opto-Electronics Review - Tom Vol. 10, No. 4 (2002) - Biblioteka Nauki - Yadda

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

Vol. 10, No. 4

Czasopismo

Opto-Electronics Review

Wydawca

Rocznik

2002

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

Vol. 10, No. 4
- artykuł: Heteroepitaxial technology for high-efficiency UV light-emitting diode (Kamiyama S., Iwaya M., Amano H., Akasaki I.), s. 225-230
- artykuł: Recent advances in gate dielectrics and polarised light emission from GaN (Pearton S. J., Abernathy C. R., Gila B. P., Onstine A. H., Overberg M. E., Thaler G. T., Jihyun K., Luo B., Mehandru R., Ren F., Park Y. D.), s. 231-236
- artykuł: Advances in MOCVD technology for research, development and mass production of compound semiconductor devices (Christiansen K., Luenenbuerger M., Schineller B., Heuken M., Juergensen H.), s. 237-242
- artykuł: Codoping of wide gap epitaxial III-Nitride semiconductors (Korotkov R. Y., Gregie J. M., Wessels B. W.), s. 243-249
- artykuł: UV detectors and focal plane array imagerss based on AlGaN p-i-n photodiodes (Long J. P., Varadaraajan J., Matthews J., Schetzina J. F.), s. 251-260
- artykuł: Reduction in dislocation density and strain in GaN thin films grown via maskless pendeo-epitaxy (Roskowski A. M., Preble E. A., Einfeldt S., Miraglia P. M., Schuck J., Grober R., Davis R. F.), s. 262-270
- artykuł: AlGaN and InAlGaN alloys : epitaxial growth optical and electrical properties, and applications (Jiang H. X., Lin J. Y.), s. 271-286
- artykuł: 280 nm UV LEDs grown on HVPE GAN substrates (Yasan A., McClintock R., Mayes K., Darvish S. R., Kung P., Razeghi M., Molnar R. J.), s. 287-289
- artykuł: Properties of metal-semiconductor-metal and Schottky barrier GaN detectors (Dobrzański L., Jagoda A., Gora K., Przyborowska K.), s. 291-293

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.