Opto-Electronics Review - Tom Vol. 8, No. 3 (2000) - Biblioteka Nauki - Yadda

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

Vol. 8, No. 3

Czasopismo

Opto-Electronics Review

Wydawca

Rocznik

2000

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

Vol. 8, No. 3
- artykuł: Photoelectric properties of HgMnTe photodiodes with ion etched p-n junctions (Kosyachenko L. A., Rarenko I. M., Weiguo S., Zengxiong L., Qibing G.), s. 251-262
- artykuł: Optimised tapered beam propagation (Sujecki S.), s. 269-274
- artykuł: Imaging properties of As₄₀S₄₀Se₂₀ layers (Stronski A. V., Vlcek M.), s. 263-267
- artykuł: III-Nitride wide bandgap semiconductors : a survey of the current status and future trends of the material and device technology (Kung P., Razeghi M.), s. 201-239
- artykuł: Asymmetric multiple quantum well heterostructure laser systems : conception, performance, and characteristics (Kononenko V. K., Afonenko A. A., Manak I. S., Nalivko S. V.), s. 241-250

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.