Electron Technology - Tom Vol. 31, No. 3/4 (1998) - Biblioteka Nauki - Yadda

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

Vol. 31, No. 3/4

Czasopismo

Electron Technology

Wydawca

Rocznik

1998

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

Vol. 31, No. 3/4
- artykuł: Wet and dry etching of GaSb/GaInAsSb photodiode heterostructures (Piotrowski T. T., Papis E., Guziewicz M., Gołaszewska K., Kamińska E., Piotrowska A., Andreev I. A., Mikhailova M. P., Kunitsyna E. V., Yakovlev Y. P.), s. 304-310
- artykuł: Vibrational states in a system of non-integral dimension (Gruhn W., Bąk Z., Jaroszewicz R.), s. 369-372
- artykuł: Transmission of low-energy electrons through Pb quantum well (Zdyb R., Stróżak M., Jałochowski M.), s. 315-319
- artykuł: The perpendicular conductivity of thin layers (Chrzanowski J.), s. 388-392
- artykuł: The infuence of scattering effect on generated radiation of microchips (Ciosek J.), s. 431-434
- artykuł: The infuence of heating of silicon glasses and aodic oxides on their electrophysical properties (Łoś S., Waczyński K., Wróbel E.), s. 450-454
- artykuł: The influence of the presence of high electric field on the nature of the interaction of hydrogen with nickel atoms and ions (Białek B.), s. 373-375
- artykuł: Surface states on the real ZnTe and Zn₀.₇Mn₀.₃Te surface (Kuźmiński S., Dziedzic J.), s. 351-353
- artykuł: Surface energy of semiconductors covered with thin layers of various materials (Zbroszczyk M., Adamowicz L.), s. 358-361
- artykuł: Sulfide passivation of GaAs surface (Szuber J., Hollinger G., Bergignat E.), s. 328-337
- artykuł: Statistical properties of ion pulse emission of natural inpurities from tungsten investigated at hight temperatures (Gładyszewski L., Reszka A.), s. 499-501
- artykuł: Sputtering of thin organic layers (Chatterjee R., Riederer D. E., Meserole C. A., Winograd N., Cyganik P., Postawa Z.), s. 435-439
- artykuł: Some optical properties of amorphous In-Se thin films (Michalewicz A., Jarząbek B., Cisowski J., Jurusik J., Burian A. M., Weszka J.), s. 411-416
- artykuł: Scanning tunneling spectroscopy investigations of gold films deposited on the (0001) basal plane of highly oriented pyrolitic graphite (Klusek Z., Balcerski J., Olejniczak W., Kobierski P.), s. 512-515
- artykuł: Scanning probe microscopy of self-assembled organic monolayers (Cyganik P., Korecki P., Szymońska J., Szymoński M., Postawa Z.), s. 440-446
- artykuł: RKKY interaction in the magnetic system of half-integer dimension (Bąk Z., Jaroszewicz R., Gruhn W.), s. 381-383
- artykuł: Resonant electron transfer in ion/atom-metal surface interactions (Taranko E., Taranko R.), s. 376-380
- artykuł: Photoreflectance spectroscopy of strained Si1-xGex/Si epilayers (Sitarek P., Misiewicz J., Nauka K.), s. 409-410
- artykuł: Optoelectronic properties controlled by an electric field in thin films (Olesik J., Całusiński B., Olesik Z.), s. 425-428
- artykuł: Optical reflectivity of ultrathin Pb layers and the quantum size effect (Jałochowski M., Stróżak M., Zdyb R.), s. 291-300
- artykuł: Optical properties of magnetron sputtered α-Si:H treated with a CO₂ laser (Grabowski A., Nowak M.), s. 401-404
- artykuł: Optical and photoelectrical investigations of Ge20Se69Bi11 thin films (Kępińska M., Nowak M., Okuniewicz S., Solecka B.), s. 417-419
- artykuł: Optical absorption and photovoltaic spectra induced by excito resonance in GaAs/GaAlAs multiple quantum wells (Filipowicz J. I.), s. 301-303
- artykuł: On the type-I magnetic contrast in SEM and its application for domain investigation in cobalt (Szmaja W.), s. 520-527
- artykuł: Nonspecular X-ray scattering from multilayers: Monte Carlo simulations (Chocyk D., Gładyszewski G.), s. 393-398
- artykuł: Nonlinear optical investigations of the polymer sufaces modified by the UV-laser illumination. (Kityk I. V., Makowska-Janusik M.), s. 447-449
- artykuł: Modular scanning system (Klusek Z., Olejniczak W., Pawłowski S., Kobierski P.), s. 508-511
- artykuł: Magnetic interlayer coupling in the position mass dependet system (Jaroszewicz R., Bąk Z.), s. 384-387
- artykuł: Local density of states of atom clusters on the Mo (110) surface (Stępień Z.), s. 365-368
- artykuł: Ion-beam modification of surface geometical properties of materials (Kowalski Z. W.), s. 477-486
- artykuł: Investigations of α-Si thin films using new technique of varible angle reflectometry (VAR) (Jaglarz J., Nowak M.), s. 405-408
- artykuł: Investigations of layered semiconductors using photoreflectance (Kępińska M., Nowak M., Wilk E.), s. 342-345
- artykuł: Initial growth stage of CaF₂ on Si(111) studied by rheed (Daniluk A., Mazurek P., Paprocki K., Mikołajczak P.), s. 338-341
- artykuł: Infuence of ambient gases on the optical properties of porous silicon layers (Ziemiański P., Misiewicz J., Kielski A.), s. 472-474
- artykuł: Influence of insulator-semiconductor interface parameters and bulk parameters on frequency dependence of GaAs mis conductance (Kochowski S.), s. 346-350
- artykuł: From metal-semiconductor junction to ternary alloy crystal (Guziewicz E., Orłowski B. A., Kowalski B. J., Barrett N., Belkhou R., Radosavkic D., Martinotti D., Guillot C., Lacharme J. P., Sebenne C. A.), s. 323-327
- artykuł: Examination of physical and chemical properties of thin layers of arsenic-silicon glasses by means of an X-ray microprobe (Waczyński K., Wróbel E., Pruszowski Z., Żelechower M.), s. 468-471
- artykuł: Electrical conduction in TMB-TCNQ polycrystalline films (Tkaczyk S. W.), s. 455-460
- artykuł: Determining of diffusion lenght of carrier in thin films of α-Si:H using sspg technique (Nowak M., Starczewska A.), s. 420-424
- artykuł: DC conduction mechanisms in thin layers of 1.4-cis polybutadiene doped with sexiphenyl (Tkaczyk S. W.), s. 461-467
- artykuł: CdTe/Cd1-xMnxTe quantum structures investigated by photoreflectance spectroscopy (Sitarek P., Misiewicz J., Karczewski G., Wójtowicz T., Kossut J.), s. 311-314
- artykuł: Atomic hydrogen gun for cleaning of GaAs surface (Girycki A., Szuber J.), s. 495-498
- artykuł: Application of the unipole mass filter (UMF) for determination of partial pressures of gases with near atomic masses (Król A., Szuber J., Kaszczyszyn S.), s. 505-507
- artykuł: Application of principial component and factor analyses in electron spectroscopy (Siuda R., Balcerowska G.), s. 487-494
- artykuł: Apparatus for the measurement of critical temperature in metallic quantum wells (Orłowski M., Paprocki K., Korczak Z., Jałochowski M.), s. 516-519
- artykuł: Analysis of the interface energy in GaInPAs/Si structures during liquid phase epitaxy (Olchowik J. M., Zdyb A., Szymczuk D., Mucha J., Zabielski K., Sadowski W., Mucha M.), s. 354-357
- artykuł: An UHV experimental system for in situ determination of the electronic properties of metal phthalocyanine thin films by photoemission yield spectroscopy (Grządziel L., Szuber J.), s. 502-504

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.