PL
|
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na
https://bibliotekanauki.pl
Szukaj
Przeglądaj
Pomoc
O nas
Preferencje
Polski
English
Język
Widoczny
[Schowaj]
Abstrakt
10
20
50
100
Liczba wyników
Tom - szczegóły
Adres strony
Kopiuj
Tytuł artykułu
Vol. 52, nr 9
Czasopismo
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
Wydawca
Rocznik
2011
Identyfikatory
Zawartość wolumenu
Vol. 52, nr 9
artykuł:
Krystalizacja i właściwości warstw GaN osadzanych na podłożach Si(111) techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu
(
Żytkiewicz Z. R.
,
Sobańska M.
,
Łusakowska E.
,
Kłosek K.
,
Borysiuk J.
,
Wierzbicka A.
,
Reszka A.
), s. 27-30
artykuł:
Struktury fotoniczne na bazie ZnO
(
Pustelny T.
,
Struk P.
,
Gołaszewska K.
,
Ekielski M.
,
Borysiewicz M.
,
Piotrowska A.
), s. 30-32
artykuł:
Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC
(
Kruszka R.
,
Korwin-Mikke K.
,
Pasternak I.
,
Wzorek M.
,
Kamińska E.
,
Piotrowska A.
), s. 32-36
artykuł:
Badania elektronomikroskopowe kontaktów omowych do węglika krzemu wytwarzanych na bazie niklu
(
Wzorek M.
,
Czerwiński A.
,
Kuchuk A.
,
Ratajczak J.
,
Piotrowska A.
,
Kątcki J.
), s. 37-40
artykuł:
Propagacja fali elektromagnetycznej w falowodzie wykonanym w planarnym krysztale fotonicznym do zastosowań w diodzie o emisji krawędziowej
(
Dems M.
), s. 40-42
artykuł:
Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu
(
Taube A.
,
Sochacki M.
,
Szmidt J.
), s. 45-49
artykuł:
Kompleksowa charakteryzacja struktur elektronicznych na podłożach SiC metodami fotoelektrycznymi, elektrycznymi i optycznymi
(
Przewłocki H. M.
,
Gutt T.
,
Piskorski K.
,
Rzodkiewicz W.
,
Borowicz P.
,
Esteve R.
,
Bakowski M.
), s. 49-52
artykuł:
Zastosowanie metod spektroskopowych do analizy paliw płynnych
(
Kaliszewski M.
,
Mularczyk-Oliwa M.
,
Włodarski M.
,
Bombalska A.
,
Kopczyński K.
), s. 53-55
artykuł:
Model diody elektroluminescencyjnej z ZnO
(
Kowalczewski P.
,
Kuc M.
,
Piskorski K.
,
Sarzała R. P.
,
Nakwaski W.
), s. 76-78
artykuł:
Wyznaczanie faz powstających w trakcie procesów technologicznych nanoszenia warstw Ti-Si-C na szafir
(
Ławniczak-Jabłońska K.
,
Klepka M. T.
,
Wolska A.
,
Dynowska E.
,
Borysiewicz M.
), s. 78-81
artykuł:
Charakteryzacja elektryczna ceramicznej oprawki tranzystora RF
(
Kopyt P.
,
Gryglewski D.
,
Korpas P.
,
Wojtasiak W.
,
Gwarek W.
), s. 82-85
artykuł:
Mechanizm wzrostu warstw GaN techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu
(
Kłosek K.
,
Sobańska M.
,
Żytkiewicz Z. R.
), s. 85-88
artykuł:
Procesy trawienia suchego ICP w plazmie BCI₃ cienkich warstw HfO₂ wytworzonych techniką reaktywnego rozpylania katodowego
(
Kruszka R.
,
Gołaszewska K.
,
Taube A.
,
Pasternak I.
,
Korwin-Mikke K.
,
Wzorek M.
,
Kamińska E.
,
Piotrowska A.
), s. 91-94
artykuł:
Optymalizacja procesu NIL pod kątem wytwarzania wzorów o wymiarach krytycznych 200 nm na krzemie o orientacji 100
(
Ekielski M.
,
Sidor Z.
,
Juchniewicz M.
,
Płuska M.
,
Piotrowska A.
), s. 95-97
artykuł:
Badania strukturalne warstw węglowych w niklowych kontaktach omowych za pomocą widzialnej i nadfioletowej spektroskopii ramanowskiej
(
Borowicz P.
,
Kuchuk A.
,
Adamus Z.
,
Borysiewicz M.
,
Ekielski M.
,
Kamińska E.
,
Piotrowska A.
,
Latek M.
), s. 103-106
artykuł:
Określanie schematów pasmowych struktur MOS o różnej metalizacji bramki na podłożu 3C-SiC
(
Piskorski K.
,
Przewłocki H. M.
,
Esteve R.
,
Bakowski M.
), s. 109-114
artykuł:
Wpływ materiału bramki, metody wytwarzania SiO₂ i efektu krawędzi bramki na rozkłady gęstości pułapek powierzchniowych w kondensatorach MOS na 3C-SiC
(
Gutt T.
,
Małachowski T.
,
Przewłocki H. M.
,
Engstrom O.
,
Esteve R.
,
Bakowski M.
), s. 114-117
artykuł:
Wpływ procesu wygrzewania wysokotemperaturowego na parametry elektryczne struktury MOS Al/SiO₂/n-4H-SiC (0001)
(
Kalisz M.
,
Król K.
,
Sochacki M.
,
Szmidt J.
), s. 121-124
artykuł:
Wyznaczanie profilu koncentracji nośników i domieszek w strukturach 2DEG na bazie GaN
(
Jung W.
,
Gołaszewska K.
,
Żytkiewicz Z. R.
,
Sobańska M.
,
Kłosek K.
), s. 124-126
artykuł:
Zastosowania systemów łączności radiowej krótkiego zasięgu do wspomagania poruszania się osób niewidomych i słabowidzących we wnętrzach budynków
(
Korbel P.
,
Wasilewski P.
), s. 127-129
artykuł:
Laboratorium cyfrowego przetwarzania sygnałów audio
(
Byczuk M.
,
Łutkowski A.
), s. 130-131
artykuł:
System ułatwiający osobom niewidomym i słabowidzacym dostęp do usług miejskiego transportu zbiorowego
(
Korbel P.
,
Wasilewski P.
), s. 132-134
artykuł:
Przenośne urządzenie GPS z procesorem ARM Cortex-M3
(
Skulimowski P.
,
Woźniak T.
), s. 141-143
artykuł:
Specjalizowane sieci neuronowe z Dwucentrowymi Funkcjami Bazowymi do zastosowań w testerach wbudowanych µBIST
(
Kowalewski M.
,
Zielonko R.
), s. 144-147
artykuł:
Zastosowanie funkcji korelacji do detekcji niejednorodności cieplnych struktur warstwowych metodą aktywnej termografii impulsowej
(
Suszyński Z.
,
Bednarek M.
), s. 148-150
artykuł:
Podstawowe operacje logiki trójwartościowej w oparciu o Różnicową Technikę Prądową
(
Gołofit K.
), s. 151-154
artykuł:
Metodyka projektowania sprzęgacza łatowego z perforowaną metalizacją masy w oparciu o algorytm genetyczny
(
Bekasiewicz A.
,
Płotka B.
,
Kurgan P.
,
Kitliński M.
), s. 158-160
artykuł:
Modelowanie szumów RTS
(
Cichosz J.
,
Szewczyk A.
), s. 161-163
artykuł:
Wielowejściowe bramki prądowe
(
Łuczak R.
,
Rajewska M.
), s. 171-174
artykuł:
Identyfikacja procesów emisji nośników w kropkach kwantowych izotermiczną techniką DLTS
(
Kaczmarczyk M.
,
Kaniewska M.
,
Engström O.
), s. 175-178
artykuł:
Sygnały radarowe z kodowaniem fazowym
(
Łuszczyk M.
), s. 182-188
artykuł:
Application of semantic maps for mobile robot simulation
(
Będkowski J.
,
Masłowski A.
), s. 189-193
artykuł:
Identyfikacja parametryczna ultradźwiękowych przetworników piezoelektrycznych
(
Milewski A.
,
Florkowska-Trąbińska J.
,
Kluk P.
,
Kogut P.
), s. 194-198
artykuł:
Automatycznie sterowany ultradźwiękowy generator mocy
(
Kluk P.
,
Kogut P.
,
Milewski A.
), s. 198-201
artykuł:
Hybrydowe łączniki półprzewodnikowe złożone z Si - IGBT i diod Schottky'ego z SiC
(
Barlik R.
,
Płatek T.
,
Rąbkowski J.
), s. 202-206
rozwiń roczniki
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.