Effect of annealing on the structure of thermal evaporated In2S3 thin films

• Autorzy: Gremenok, V. , Reddy, K. T. , Tivanov, M. , Patryn, A.

Warianty tytułu

PL

Wpływ obróbki temperaturowej na termicznie naparowane cienkie warstwy In2S3

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Structural studies on In2S3 thin films deposited by vacuum thermal evaporation on glass substrates at a temperature of 240oC, followed by annealing at 330°C and 400°C are presented. It was shown that the films were of amorphous in nature before annealing and after annealing the films became polycrystalline and showed β- In2S3 structure. The grain size increased and followed the usual crystal growth process as the annealing temperature increased. The annealing-induced changes of surface roughness were characterized by atomic force microscopy.

PL

Przedstawiono wyniki badania struktury cienkich warstw In2S3 naniesionych metodą termicznego osadzenia na szkło w próżni w temperaturach od 240oC i kolejnym wygrzewaniem w temperaturach 330oC i 400oC. Ustalono że warstwy miały amorficzną naturę przed wygrzewaniem, po wygrzewaniu wykazywały strukturę polikrystaliczną typu β-In2S3. Rozmiar ziaren powiększał się na skutek aktywnej nuklearyzacji i to przyczyniało się do zwykłej krystalizacji ze wzrostem temperatury. Zmiany zostały przeanalizowane za pomocą AFM.

Słowa kluczowe

PL

In2S3; cienka warstwa; widmo XRD; widmo Ramana; obraz powierzchni; AFM

EN

thin film; In2S3; X-ray diffraction; Raman spectroscopy

• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2017
• Tom: R. 93, nr 8
• Strony: 89--91
• Opis fizyczny: Bibliogr. 28 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Gremenok, V.

• State Scientific and Production Association Scientific-Practical Materials Research Centre of the National Academy of Sciences of Belarus, 19 P. Brovki str., Minsk, 220072 Belarus

autor

Reddy, K. T.

• Sri Venkateswara University, Department of Physics, Solar Photovoltaic Lab, Tirupati, 517502 India

autor

Tivanov, M.

• Belarusian State University, 4 Nezavisimosti av., Minsk, 220030 Belarus

autor

Patryn, A.

• Koszalin University of Technology, Department of Electronics and Computer Sciences, 2 Sniadeckich str, Koszalin, 75-453 Poland,

Bibliografia

• [1] Seyam M.A., Vacuum, 63 (2001), 441-447
• [2] Hara K., Sayama K., Arakawa H., Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 62 (2001), 441-449
• [3] Shay J.L., Tell B., Surf. Sci., 37, 748-752 (1973)
• [4] George J., Joseph K.S., Prodeep B., Phys. Status. Solidi. Appl. Res., 106 (1988), 123-127
• [5] Barreau N., Bernède J.C., Marsillac S., Thin Solid Films, 431 (2003), 326-331
• [6] Bube R.H., McCarroll W.H., J. Phys. Chem. Solids, 10 (1959), 333-340
• [7] Naghavi N., Spiering S., Powalla M., Cavana B. and Lincot D., Prog. Photovolt. Res. Appl., 11 (2003), 437-443
• [8] Strohm A., Eisenmann L., Gebhardt R.K., Harding A., Schlotzer T., Abou-Ras D., Schock H.W., Thin Solid Films, 480-481, 162-167 (2005)
• [9] Nehra S.P., Chander S., Anshu Sharma, Dhaka M.S., Mater. Sci. Semicond. Process., 40 (2015), 25-29
• [10] Nagabhushana K.R., Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 266 (2008), 1040-1042
• [11] Woka M.K., Ottaviano L., Szuber J., Thin Solid Films, 515 (2007), 8328-8332
• [12] Lita E., Sanchez J.E., J. Appl. Phys., 85 (1999), 876-881
• [13] Izadneshan H., Gremenok V.F., J. Appl. Spectros., 81 (2014), 293-296
• [14] Izadneshan H., Gremenok V.F., J. Appl. Spectros., 81 (2014), 765-770
• [15] Bhatti M.T., Rana A.M., Khan A.F., Mater. Chem. Phys., 84 (2004), 126-130
• [16] Xiong Y., Xie Y., Du G., Tian X., Qian Y., J. Solid. State. Chem., 166 (2002), 33-40
• [17] Powder Diffraction File, Joint Committee on Powder Diffraction Standards, ASTM, Philadelphia, PA, 1967, Card 250390
• [18] Powder Diffraction File, Joint Committee on Powder Diffraction Standards, ASTM, Philadelphia, PA, 1967, Card 050731
• [19] Sandoval M.G., Sotelo-Lerma M., Valenzuela-Jauregui J.J., Flores-Acosta M., Ramirez-Bon R., Thin Solid Films, 472 (2005), 5-10
• [20] Revathi N., Prathap P., Subbaiah Y.P., Reddy K.T., J. Phys. D: Appl. Phys., 41 (2008), 155404-155408
• [21] Cullity D., Elements of X-ray Diffraction, Addison-Wesley Publishing Company Inc., (1956), 262-269
• [22] Ursaki V.V., Manjón F.J., Tiginyanu I.M., Tezlevan V.E., J. Phys.: Condens. Matter, 14 (2002), 6801-6813
• [23] Revathi N., Prathap P., Reddy K.T., Solid State Sci., 11 (2009), 1288-1296
• [24] Kambas K., Spyridelis J., Balkanski M., Phys. Status Solidi, 105 (1981), 291-296
• [25] Tao H., Zang H., Dong G., Zeng J., Zhao X., Optoelectron. Adv. Mater., 2 (2008), 356-359
• [26] Raposo M., Ferreira Q., Ribeiro P.A., Modern Research and Educational Topics in Microscopy, FORMATEX, (2007), 758-769
• [27] Gadelmawlaa E.S., Kourab M.M., Maksoudc T.M.A., Elewaa I.M., Solimand H.H., J. Mater. Process. Tech., 123 (2002), 133-140
• [28] Wysocka K., Ulatowska A., Bauer J., Holowacz I., Savu B., Stanciu G., Optica Applicata, 38 (2008), 130-135

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2017.08.23