Warianty tytułu
Języki publikacji
Abstrakty
The applicability of scanning capacitance microscopy (SCM) technique for chosen electrical properties characterization of AIIIBV structures fabricated by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) was examined. The calibration curves for quantitative characterization of doping levels in GaAs layers were created. The AlGaN/GaN/Si heterostructures for high electron mobility transistor fabrication and InGaAs tunnel junction for tandem solar cell characterization were presented. The crucial factors of measurement conditions which could influence the obtained results were also discussed.
Słowa kluczowe
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
845--850
Opis fizyczny
Bibliogr. 14 poz., rys.
Twórcy
autor
- Wroclaw University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland
autor
- Wroclaw University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland
autor
- Wroclaw University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland
autor
- Wroclaw University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland
autor
- Wroclaw University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland
autor
- Wroclaw University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland
Bibliografia
- [1] SZYSZKA A., ŚCIANA B., RADZIEWICZ D., MACHERZYŃSKI W., PASZKIEWICZ B., TŁACZAŁA M., Opt. Appl., 41 (2011), 281.
- [2] MOCZAŁA M., SOSA N., TOPOL A., GOTSZALK T., Ultramicroscopy, 141 (2014), 1.
- [3] PARK K. W., NAIR H. P., CROOK A. M., BANK S. R., YU E. T., Appl. Phys. Lett., 99 (2011), 133114.
- [4] BASSANI F., PERIWAL P., SALEM B., CHEVALIER N., MARIOLLE D., AUDOIT G., GENTILE P., BARON T., Phys. Status Solidi-R, 8 (2014), 312.
- [5] GOGHEROA D., GIANNAZZOB F., RAINERIA V., Mater. Sci. Eng. B-Adv., 102 (2003), 152.
- [6] BHUSHAN B. (Ed.), Scanning Probe Microscopy in Nanoscience and Nanotechnology 2, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg, 2001.
- [7] ŚCIANA B., RADZIEWICZ D., PUCICKI D., TŁACZAŁA M., SĘK G., POLOCZEK P.,MISIEWICZ J., KOVÁC J., SRNANEK R., CHRISTOFI A., Mater. Sci.-Poland, 26 (2008), 71.
- [8] DAWIDOWSKI W., ŚCIANA B., ZBOROWSKA-LINDER I., MIKOLÁŠEK M., LATKOWSKA M., RADZIEWICZ D., PUCICKI D., BIELAK K., BADURA M., KOVÁC J., TŁACZAŁA M., Int. J. Electron. Telecommun., 60 (2014), 151.
- [9] SZYMAŃSKI T., WOŚKO M., PASZKIEWICZ B., PASZKIEWICZ R., DRZIK M., J. Vac. Sci. Technol. A, 33 (2015), 041506.
- [10] SMITH K.V., DANG X.Z., YUA E.T., REDWING J.M., J. Vac. Sci. Technol. B, 18 (2000), 2304.
- [11] YIN H., LII T., WANG W., HU W., LIN L., LU W., Appl. Phys. Lett., 95 (2009), 093506.
- [12] SZYSZKA A., ŚCIANA B., RADZIEWICZ D., MACHERZYŃSKI W., PASZKIEWICZ B., TŁACZAŁA M., Opt. Appl., 41 (2011), 281.
- [13] KROST A., DADGAR A., STRASSBURGER G., CLOS R., Phys. Status Solidi-R, 200 (2003), 26.
- [14] WOŚKO M., PASZKIEWICZ B., SZYMAŃSKI T., PASZKIEWICZ R., J. Cryst. Growth, 414 (2015), 248.
Uwagi
Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na
działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).
działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-f05d2b10-01d6-438f-b1c6-6e8f37d60318