Changes in permittivity of silicon implanted through an aluminum layer

• Autorzy: Żukowski, P. , Partyka, J. , Węgierek, P.

Warianty tytułu

PL

Zmiany przenikalności dielektrycznej krzemu implantowanego przez warstwę aluminium

• Konferencja: Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons-ION'98 / International Symposium (II ; 16-19.06.1998 ; Kazimierz Dolny, Poland)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The paper discusses the unit capacity changes in capacitors with a dielectric in a from of silicon implanted through an aluminum layer. The results of tests indicate that the course of C_u=f(T_a) is determined to a great extent by the processes in the implanted layer while the effect of the capacitor plates is insignificant.

PL

W pracy omówiono zmiany pojemności jednostkowej kondensatorów z dielektrykiem w postaci krzemu implantowanego przez warstwę aluminium. Badania wykazały, że przebieg C_u=f(T_a) w dużym stopniu określają procesy zachodzące w warstwie implantowanej, natomiast wpływ okładzin jest nieznaczny.

Słowa kluczowe

PL

przenikalność dielektryczna; krzem; implantacja jonów; aluminium

EN

comparison of permittivity; silicon; ion implantation; aluminium

• Czasopismo: Nukleonika
• Rocznik: 1999
• Tom: Vol. 44, nr 2
• Strony: 285-288
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., wykr.

Twórcy

autor

Żukowski, P.

autor

Partyka, J.

autor

Węgierek, P.

• Lublin Technical University, Faculty of Electrical Engineering, 38A Nadbystrzycka Str., 20-618 Lublin, Poland