Comparison of permittivity of ion implanted silicon and silicon bombared with neutrons

• Autorzy: Żukowski, P. , Partyka, J. , Węgierek, P. , Kozak, M.

Warianty tytułu

PL

Porównanie przenikalności dielektrycznej krzemu implantowanego jonowo i bombardowanego elektronami

• Konferencja: Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons-ION'98 / International Symposium (II ; 16-19.06.1998 ; Kazimierz Dolny, Poland)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The present work includes a comparison of permittivity variations in the silicon irradiated with neutrons and additionally implanted with ions, the changes occurring in the course of thermal annealing.

PL

W niniejszej pracy porównano zmiany przenikalności dielektrycznej krzemu naświetlanego neutronami oraz implantowanego jonowo, zachodzące podczas wygrzewania termicznego.

Słowa kluczowe

PL

krzem; przenikalność dielektryczna; implantacja jonów; bombardowanie neutronami

EN

silicon; comparison of permittivity; ion implantation; bombared with neutrons

• Czasopismo: Nukleonika
• Rocznik: 1999
• Tom: Vol. 44, nr 2
• Strony: 281-284
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., wykr.

Twórcy

autor

Żukowski, P.

autor

Partyka, J.

autor

Węgierek, P.

autor

Kozak, M.

• Lublin Technical University, Faculty of Electrical Engineering, 38A Nadbystrzycka Str., 20-618 Lublin, Poland