Pomiary parametrów cieplnych elementów półprzewodnikowych wykonanych z węglika krzemu

• Autorzy: Zarębski, J. , Dąbrowski, J. , Bisewski, D.

Warianty tytułu

EN

Measurements of thermal parameters of silicon carbide semiconductor devices

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki pomiarów przejściowej impedancji termicznej i rezystancji termicznej elementów mocy wykonanych z węglika krzemu: tranzystora MESFET oraz diody MPS. Zaproponowano analityczny model opisujący zależność rezystancji termicznej badanych elementów od mocy i temperatury otoczenia.

EN

In the paper results of measurements of the transient thermal impedance and the thermal resistance of the silicon carbide power semiconductor devices, i.e. MESFETs and MPS diodes, are presented. As the result of these measurements, the thermal resistance dependence on both the power dissipated in the investigated devices and the ambient temperature is proposed in the paper.

Słowa kluczowe

PL

parametry cieplne; samonagrzewanie; węglik krzemu; elektrotechnika; elektroenergetyka

EN

thermal parameter; selfheating; silicon carbide; electrical technology; electrical power engineering

• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2011
• Tom: R. 87, nr 10
• Strony: 29-32
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., il., tabl., wykr.

Twórcy

autor

Zarębski, J.

autor

Dąbrowski, J.

autor

Bisewski, D.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej, 81-225 Gdynia, ul. Morska 83,

Bibliografia

• [1] Zarębski J., Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych, Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni (1996).
• [2] Górecki K., Zarębski J., System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych, Metrology and measurement systems, 8 (2001), n. 4, 379-396.
• [3] Walshak L.G., Poole W.E., Thermal resistance measurement by IR scanning. Microwave Journal, 16 (1977), 62-65.
• [4] Estreich D.B., A DC Technique for Determining GaAs MESFET Thermal Resistance. IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology, 12 (1989), n. 4, 675- 679.
• [5] Zarębski J., Górecki K., Pomiary rezystancji termicznej tranzystorów mocy z wykorzystaniem metod pirometrycznych. Pomiary, Automatyka, Kontrola, n. 1 (2003), 41-44.
• [6] Górecki K., Zarębski J., Estymacja parametrów modelu termicznego elementów półprzewodnikowych. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, n. 3 (2006), 347-360.
• [7] http://www.cree.com/products/pdf/CRF24010.pdf
• [8] http://www.infineon.com/cms/en/product/index.html
• [9] Blackburn D.L., Oettinger F.F., Transient Thermal Response Measurement of Power Transistors. IEEE Transactions on Industrial Electronics and Control Instrumentation, IECI- 22(1975), n. 2, 134-141.
• [10] Bjoerk F., Hancock J., i inni, 2nd Generation 600V SiC Schottky diodes use merged pn/Schottky structure for surge overload protection. 21th IEEE APEC (2006), 170-173.