Czasopismo
Tytuł artykułu
Warianty tytułu
Języki publikacji
Abstrakty
Stosując proces PE-CVD pod ciśnieniem atmosferycznym uzyskano cienkie powłoki z dwutlenku krzemu za pomocą wyładowania elektrycznego o strukturze niejednorodnej, stabilizowanego przegroda dielektryczną. Opracowano laboratoryjny model reaktora, działający przy częstotliwosci 50 lub 1300 Hz. Jednorodne powłoki o grubości do 600 nm, złożone głównie z dwutlenku krzemu, osadzono na podłożu z krzemu przez polikondensację tetraetoksykrzemu (TEOS) w mieszaninach TEOS + Ar, TEOS + 02 + Ar oraz TEOS + NH3 +Ar. Powłoki były trwałe i dobrze przylegały do podłoża. Zbadano wpływ: 1) warunków wyładowania, 2) składu: mieszaniny gazów, 3) czasu osadzania - na w!aściwości otrzymanych powłok. Skład powłok określano za pomocą widm FTIR oraz XPS.
The surface films composed mainly of silicon dioxide were obtained by the PE-CVD process und atmospheric pressure using non-homogeneus electrical discharges stabilized with a dielectric barrier. A laboratory model of the reactor operating at frequencies of 50 or 1300 Hz was developed. Homogeneus films up to 600 nm thick were obtained on silicon wafers by polycondensation of tetraethoxysilane (TEOS) in gas mixtures: TEOS + Ar, TEOS+O2+Ar and TEOS +NH3+AR. The films were stable and adhered well to the surface of the wafer. The influence was studied: 1) of the discharge conditions 2) of the gas mixture composition and 3) of the deposition time - on the film`s properties. The composition of films obtained under different condi
Rocznik
Tom
Opis fizyczny
Bibliogr. 12 poz., tab., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
- Wydział Chemiczny Politechnika Warszawska
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-PWA2-0002-0021
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.