Pomiary przejściowej impedancji termicznej regulatora napiecia L296 metodami elektrycznymi

• Autorzy: Górecki, K. , Zarębski, J.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki pomiarów przejściowej impedancji termicznej monolitycznego impulsowego regulatora napięcia stałego, uzyskane przy wykorzystaniu elektrycznej metody pomiarowej. Badania przeprowadzono dla różnych punktów pracy oraz różnych mocowań badanego regulatora. Wyznaczono również i porównano wartości parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej, odpowiadajace obu sposobom mocowania regulatora oraz różnym wartościom jego napiecia wejściowego.

Słowa kluczowe

PL

regulator napięcia L296

EN

voltage regulator L296

• Czasopismo: Mikroelektronika i Informatyka : prace naukowe
• Rocznik: 2006
• Tom: Z. nr 6
• Strony: 27-30
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., tqb., wykr.

Twórcy

autor

Górecki, K.

autor

Zarębski, J.

• Akademia Morska w Gdyni. Katedra Elektroniki Morskiej

Bibliografia

• [1] J. Zarębski: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych. Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia, 1996.
• [2] A. Nowakowski: Badanie procesów termicznych w przyrządach półprzewodnikowych. Zeszyty Naukowe Politechniki Gdańskiej, nr 389, Elektronika LX, 1984.
• [3] W.J. Stepowicz, W. Janke: Modele termiczne elementów półprzewodnikowych. Zeszyty Naukowe Politechniki Gdańskiej, l nr 348, Elektronika LVI, 1982, s. 3.
• [4] K. Górecki, J. Zarębski: A New Method of the Thermal Resistance Measurements of Monolithic Switched Regulators. IMEKO XVIII World Congress, Rio de Janeiro, 2006. (CD-ROM).
• [5] J. Zarębski, K. Górecki, K. Posobkiewicz: Elektrotermiczny makromodel monolitycznego impulsowego regulatora napięcia L296 dla programu SP1CE. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, Nr 4,2005, s.571.
• [6] L296, L296P. High Current Switching Regulators. SGS-Thomson, STMicroelectronics, 2002.
• [7] K. Górecki, J. Zarębski: Estymacja parametrów modelu termicznego elementów półprzewodnikowych. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, Nr 3, 2006, ss. 347-360.
• [8] Bell Telephone Laboratories, Physical Design of Electronic Systems, Vol. l, Prentice-Hall, 1971.
• [9] T. Veijola, M. Valtonen, Combined Electrical and Thermal Circuit Simulation Using APLAC; Part AL Implementation and Basic Component Models, Helsinki University of Technology, CT-25, 1995.
• [10] W. Janke: Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych. WNT, Warszawa, 1992.
• [11] Designing with the L296 Monolithic Power Switching Regulator. AN244/1288, SGS-Thomson, STMicroelectronics, 1996.
• [12] F. F. Oettinger, D. L. Blackburn: Semiconductor Measurement Technology: Thermal Resistance Measurements, U. S. Department of Commerce, NIST/SP-400/86, 1990.