Modelowanie pojemności tranzystorów GaAs oraz SiC MESFET w programie PSPICE

• Autorzy: Zarębski, J. , Bisewski, D.

Warianty tytułu

EN

Modelling of MESFET capacitances for PSPICE

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przeprowadzono ocenę dokładności modeli pojemności tranzystora MESFET wbudowanych w programie PSPICE, poprzez porównanie wyników symulacji oraz dostępnych w literaturze przedmiotu wyników pomiarów tranzystorów MESFET, wykonanych z arsenku galu oraz węglika krzemu. Pokazano, że wbudowane modele pojemności rozważanego tranzystora nie zapewniają satysfakcjonującej dokładności. Ponadto, na przykładzie wybranego modelu zaproponowano jego modyfikacje, wpływające na poprawę zgodności wyników pomiarów i symulacji charakterystyk pojemnościowo-napięciowych.

EN

In this paper the capacitances of the MESFET models built-in in PSPICE are considered. The simulated and measured values of capacitances of GaAs-MESFET and SiC-MESFET are compared. Due to the observed discrepancies between the devices simulated and measured characteristics, modification of the drain-source capacitance of the Curtice model, improving its accuracy is proposed and tested.

Słowa kluczowe

PL

elektronika; tranzystory MESFET; program PSpice

EN

electronics; MESFET transistors; PSpice program

• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
• Rocznik: 2008
• Tom: nr 59
• Strony: 39-49
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Zarębski, J.

autor

Bisewski, D.

• Katerdra Elektroniki Akademia Morska w Gdyni

Bibliografia

• 1. Bisewski D., Estymacja parametrów wybranych modeli tranzystora MESFET z wykorzystaniem programu MATLAB, Raport Katedry Elektroniki Morskiej nr NB.02/2008, Gdynia 2008.
• 2. Bisewski D., Zalewski B., Ocena dokładności wbudowanych w programie PSP1C.E modeli pojemności tranzystora MESFET, Raport Katedry Elektroniki Morskiej nr NB.03/2008, Gdynia 2008.
• 3. Larson L.E., An Improved GaAs MESFET Equivalent Circuit Model for Analog Integrated Circuit Applications, IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. sc-22, No. 4, August 1987.
• 4. Porębski J., Korohoda P., SPICE program analizy nieliniowej układów elektronicznych, WNT, Warszawa 1996.
• 5. PSPICEA/D Reference Guide Version 10.0, MicroSim Corporation, April 2003.
• 6. Sayed A., Boeck G., An Empirical Large Signal Model for Silicon Carbide MESFETs, European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Application Symposium, EGAAS, Vol. 3-4, 2005, p. 134-136.
• 7. Sayed A., Boeck G., An Enhanced Empirical Large Signal Model of SiC. MESFETs for Power Applications, International Conference on Microwave and Optoelectronics SBMO/IEEE, Vol. 2, 2005, p. 28-31.
• 8. Wilamowski M.B., Jaeger R.C., Computerized Circuit Analysis Using SPICE Programs, March 1997.
• 9. Zarębski J., Tranzystory MOS mocy, Fundacja Rozwoju Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia 2007.
• 10.Zimny P., Karwowski K., SP/CE klucz do elektroniki, Wydawnictwo Politechniki Gdańskiej, Gdańsk 1998.