Wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy boost

• Autorzy: Zarębski, J. , Górecki, K.

Warianty tytułu

EN

Influence of the selection of semiconductor devices on characteristics of boost converters

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk przetwornicy boost z półprzewodnikowymi elementami kluczującymi wykonanymi z krzemu oraz z węglika krzemu. Przeprowadzono badania rozważanej przetwornicy, zawierającej krzemowy tranzystor MOS oraz krzemową diodę Schottky'ego, krzemowy tranzystor MOS oraz diodę Schottky'ego z węglika krzemu oraz tranzystor MESFET i diodę Schottky'ego z węglika krzemu. W oparciu o uzyskane wyniki pomiarów wskazano warunki pracy przetwornicy boost, przy których zasadne jest stosowanie elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu.

EN

In the paper some results of measurements of the boost converter characteristics including switching semiconductor devices produced from silicon and silicon carbide were presented. The investigations were performed for three converters containing: the silicon MOS transistor and the silicon Schottky diode, the silicon MOS transistor and the silicon carbide Schottky diode as well as the MESFET transistor and the Schottky diode produced from silicon carbide. The obtained results of measurements are discussed.

Słowa kluczowe

PL

przetwornica boost; węglik krzemu; elementy półprzewodnikowe

EN

boost converters; silicon carbide; semiconductor devices

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 10
• Strony: 79-81
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., wykr.

Twórcy

autor

Zarębski, J.

autor

Górecki, K.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej

Bibliografia

• [1] Borkowski A.: Zasilanie urządzeń elektronicznych. WKiŁ, Warszawa, 1990.
• [2] Ericson R., D. Maksimovic: Fundamentals of Power Electronics. Kluwer Academic Publisher, Norwell, 2001.
• [3] Maniktala S., Switching Power Supply Design & Optimization. McGraw-Hill, New York, 2005.
• [4] Lebron-Velilla R. C., G. E. Schwarze, B. G. Gardnem, J. D. Adams:Silicon Carbide Diodes Characterization at High Temperature and Comparison With Silicon Devices. Second International Energy Conversion Engineering Conference sponsored by the American Institute of Aeronautics and Astronautics Providence, Rhode Island, 2004.
• [5] Rąbkowski J., R. Barlik: Falownik prądu z elementami z węglika krzemu. IX Konferencja Naukowa Sterowanie w Energoelektronice i Napędzie Elektrycznym SENE 2009, t6dz, 2009, CD-ROM
• [6] Zarębski J., K. Górecki, K. Posobkiewicz: Wpływ zastosowania elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu na charakterystyki przetwornicy buck. Przegląd Elektrotechniczny, R. 86, Nr 11a, 2010, s. 229-231.
• [7] 1N5820-1N5822. Karta Katalogowa, Fairchild Semiconductor Corporation, 2001.
• [8] SDP04S60, SDD04S60.SDT04S60. Karta Katalogowa, Infineon Technologies, 2001.
• [9] IRF540 N-Channel 10OV-0.0550-22 A To-220 Low gate charge Strip-FET II Power MOSFET. Karta Katalogowa, STMicroelectronics, 2003.
• [10] CFR24010 10W, SiC RF Power MESFET. Karta katalogowa, Cree, 2010.
• [11] Zarębski J., K. Górecki, W. J. Stepowicz, J. Dąbrowski, D. Bisewski: Sprawozdanie z realizacji zadania nr 3 harmonogramu pt. Izotermiczne wielkosygnatowe modele diod Schottky'ego oraz tranzystorów MESFET z węglika krzemu. Projekt rozwojowy NR 01-0003-04, Gdynia, 2010.