Warianty tytułu
Power supply frequency impact on magnetron sputtering of copper
Języki publikacji
Abstrakty
Zaprezentowano wyniki badań wpływu częstotliwości zasilania wyrzutni magnetronowej WMK 50 na proces rozpylania miedzi. Wykorzystywano dwa zasilacze (o maksymalnych prądach wyjściowych 8 i 12 A) oraz zewnętrzny moduł kluczujący zapewniający regulację częstotliwości napięcia zasilającego wyrzutnię w zakresie 12... 70 kHz. Analizowano widma emisyjne plazmy wyładowania w zakresie 400...410 nm oraz szybkości nanoszenia warstw na podłoże oddalone o 130 mm od targetu.
The influence of power supply frequency on the process of magnetron sputtering of copper is presented. In this work two power supplies were used (with maximum output currents 8 and 12 A) and yhe switching module that provided cathode voltage switching in range of 12...70 kHz. The plasma emission spectra (400...410 nm) and the deposition rate (130 mm target to sample distance) were examined.
Rocznik
Tom
Strony
55-56
Opis fizyczny
Bibliogr. 4 poz., wykr.
Twórcy
autor
- Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Bibliografia
- [1] Wiatrowski A., Posadowski W., Dora J.: Impulsowe zasilanie układu magnetronowego - parametr technologiczny procesu rozpylania. Elektronika 6/2005. ss. 33-34.
- [2] Posadowski W., Wiatrowski A., Dora J., Radzimski Z.: Thin film technology control by medium frequency power supply parameter. Proceedings of 6th Intenational Conference on Coatings on Glass and Plastics - ICCG6, Drezno 18 22 czerwca 2006, pp. 75-78.
- [3] Dora J.: Zasilacz rezonansowy. Patent PL Nr 313150, zgł. 13.03.1996.
- [4] Anders A.: Fundamentals of pulsed plasmas for materials processing. Surface and Coatings Technology 183 (2004), pp. 301-311.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWAP-0004-0038