Department of Semiconductor Sensors

• Autorzy: Koszur, J.
• Języki publikacji: EN

Słowa kluczowe

PL

Instytut Technologii Elektronowej; działalność naukowo-badawcza

EN

Institute of Electron Technology; scientific activity

• Czasopismo: Prace Instytutu Technologii Elektronowej
• Rocznik: 2003
• Tom: z. 2
• Strony: 150-166
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Koszur, J.

• Institute of Electron Technology, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland,

Bibliografia

• [P1] Koszur J., Gniazdowski Z., Jaźwiński J., Kowalski P., Łysko J. M., Latecki B.: Department of Semiconductor Sensors. In: Institute of Electron Technology. Scientific Activity 2001 . Prace ITE’2001 no 8-12p. 117-130.
• [P2] Kowalski P., Gniazdowski Z., Jaźwiński J., Latecki B., Łozinko J., Studzińska K., Wrzesińska H.: Micromechanical Silicon Gas Valve. Proc. of the VII Sci. Conf. “Optoelectronic and Electronic Sensors” COE'2002, Rzeszów, Poland, 5-8.06.2002, vol. II p. 221-224 (in Polish).
• [P3] Łysko J. M., Górska M., Wrzesińska H., Hejduk K., Latecki B., Łozinko J.: Fabrication of Pt Resistors for a Silicon Thermal Conductivity Cell. Proc. of the VII Sci. Conf. “Optoelectronic and Electronic Sensors” COE'2002, Rzeszów, Poland, 5-8.06.2002, vol. II p. 133-136 (in Polish).
• [P4] Łysko J. M., Łozinko J., Jaźwiński J., Latecki B., Panas A., Górska M.: Silicon Thermal Conductivity Cell with Back-Side Contacts. Proc. of the VII Sci. Conf. “Optoelectronic and Electronic Sensors” COE'2002, Rzeszów, Poland, 5-8.06.2002, vol. I p. 123-126 (in Polish).
• [P5] Łysko J. M., Łozinko J., Latecki B., Górska M., Hejduk K., Wrzesińska H.: Fabrication of Pt Resistors for a Silicon Thermal Conductivity Cell. Proc. of the Conf. Joint IMEKO TC-1 & XXXIV MKM Conf. 2002, Wrocław, Poland, 2002 vol. III p. 111-117 (in Polish).
• [P6] Łysko J. M., Górska M., Panas A., Stijdzińska K., Wrzesińska H.: Fabrication of Back-Side Contacts for a Silicon Thermal Conductivity Cell. Proc. of the Conf. Joint IMEKO. TC-1 & XXXIV MKM Conf. 2002, Wrocław, Poland, 2002 vol. III p. 103-110 (in Polish).
• [P7] Łysko J. M., Budzyński T., Górska M., Jaźwiński J., Latecki B., Panas A.: Elements of the Silicon TCD Design and Technology. Proc. of the First Domestic Conf. on Electronics KKE' 2002, Kołobrzeg, Poland, 10-12.06.2002, vol. 2/2 p. 811-814 (in Polish).
• [P8] Łysko J. M., Koszur J., Latecki B.: Analytical Model of a Si TCD. Proc. of the First Domestic Conf. on Electronics KKE'2002, Kołobrzeg, Poland, 10-12.06.2002, vol. 2/2 p. 815-819.
• [P9] Łysko J. M.: Silicon Sensor of Acceleration. Rev. EUREKA, Warsaw, Poland KBN, 2002 no 3(8) p. 17 - Internet no 5(17).
• [P10] Łysko J. M., Nikodem M., Latecki B., Górska M., Studzińska K.: Elements of the Silicon TCD Design and Technology. Solid-State Electronics: Theory, Devices and Applications. Proc. of the 6th Int. Symp. on Microelectronics Technologies and Microsystems, Lviv, Ukraine, 20-22.2002. J. of Lviv Polytechnic National University, 2002 vol. 458 p. 61-66.
• [P11] Wróblewski W., Dybko A., Chudy M., Bożewicz M., Brzózka Z., Jaroszewicz B., Koszur J., Jaźwiński J., Grabiec P.: Novel Back-Side Contact ISFET Structures for Flow Analysis. Proc. of the VII Sci. Conf. “Optoelectronic and Electronic Sensors” COE'2002, Rzeszów, Poland, 5-8.06.2002, vol. I p. 145-148.
• [P12] Wyglądacz K., Malinowska E., Jaźwiński J., Brzózka Z.: Design of Miniaturized Nitrite Sensors Based on Silicon Structure with Back-Side Contacts. Sensors a. Actuators B 2002 vol. 83, p. 109-114.