Self assembled InN quantum structures in Si₃ N₄ films produced by flash lamp processing

• Autorzy: Prucnal, S. , Turek, M. , Pyszniak, K. , Droździel, A. , Rebohle, L. , Skorupa, W. , Żuk, J.

Warianty tytułu

PL

Struktury kwantowe z InN wytworzone w warstwach Si₃ N₄ przez milisekundowe naświetlanie

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

PL

Nanostruktury InN wytworzono w warstwach Si₃ N₄ poprzez implantację jonami In i milisekundowe wygrzewanie błyskowe. W widmie mikroramanowskim obserwuje się wierzchołki 495 oraz 592 cm&8315;¹, odpowiadające fononom Eh₂ oraz A₁ w InN. Wąskie pasmo w widmie fotoluminescencyjnym skupione wokół 1.35 µm potwierdza powstanie kryształów InN o dobrej jakości. Naprężenia powstałe w trakcie formowania się krystalitów mogą zostać zlikwidowane poprzez dobór odpowiednich warunków wygrzewania.

EN

The InN quantum structures were formed in Si₃ N₄ films by indium ion implantation and subsequent thermal annealing. The µ - Raman spectrum shows peaks at 495 and 592 cm&8315;¹ corresponding to the transverse optical (Eh₂) and longitudinal optical (A₁) phonon modes in InN, respectively. The narrow PL band at around 1.35 µm from the InN QDs was observed what confirm the formation of high quality InN crystals. Moreover, stress introduced to the InN nanocrystals during formation can be controlled by the proper choice of annealing conditions.

Słowa kluczowe

PL

InN; fotoluminescencja; implantacja jonowa; wygrzewanie milisekundowe

EN

InN; photoluminescence; ion implantation; flash lamp annealing

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 11
• Strony: 48-50
• Opis fizyczny: Bibliogr. 19 poz., wykr.

Twórcy

autor

Prucnal, S.

autor

Turek, M.

autor

Pyszniak, K.

autor

Droździel, A.

autor

Rebohle, L.

autor

Skorupa, W.

autor

Żuk, J.

• Maria Curie-Skłodowska University Lublin

Bibliografia

• [1] Shen W. Z., L. F. Jiang, H. F. Yang, and F. Y. Meng: Appl. Phys. Lett 80 (2002) 2063.
• [2] Lu H.,W. J. Schaff, et al.: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 1489.
• [3] Higashiwaki M. and T. Matsui: Jpn. J. Appl. Phys., 41 (2002) L540.
• [4] Gwo S., C.-L. Wu, C.-H. Shen, et al.: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 3785.
• [5] Bhuiyan A. G., A. Hashimoto and A. Yamamoto: J. Appl. Phys. 94 (2003) 2779.
• [6] Tansley T. L. and C. P. Foley: J. Appl. Phys. 60 (1986) 2092.
• [7] Qian Z. G., W. Z. Shen et al.: Condens. Matter 16, (2004) R381.
• [8] Wang X., S.-B. Che, Y. Ishitani, and A. Yoshikawa: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 171907.
• [9] Ive T., O. Brandt, M. Ramsteiner et al.: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 1671.
• [10] Dhara S., P. Magudapathy et al.: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 241904.
• [11] Segura-Ruiz J., N. Garro Phys. et al.: Rev. B. 79 (2009) 115305.
• [12] Kurimoto E., H. Harima et al.: Phys. Status. Solidi b228 (2001) 1.
• [13] Springer Handbook of Condensed Matter and Materials Data, W. Martienssen and H. Warlimont, eds., Springer, Berlin, 2005.
• [14] Bhattacharya P., T. K. Sharma, et al.: Journal of Crystal Growth 236 (2002) 5.
• [15] Dixit A., C. Sudakar et al.: Appl. Phys. Lett 93 (2008) 142103.
• [16] Prim A., E. Pellicer et al.: Adv. Funct. Mater. 17 (2007) 2957.
• [17] Lazić S., E. Gallardo et al.: Phys. Rev. B, 76 (2007) 205319.
• [18] Cuscó R., J. Ibańez et al.: Phys. Rev. B, 79 (2009) 155210.
• [19] Cuscó R., E. Alarcón-Lladó et al.: J. Phys.: Condens. Matter 21 (2009) 415801.