Profilowanie składu chemicznego tlenkowych warstw pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera

• Autorzy: Domanowska, A. , Klimasek, A. , Lisiecka, E. , Bidziński, P. , Adamowicz, B. , Szewczenko, J. , Taube, A. , Korwin-Mikke, K. , Gierałtowska, S , Żywicki, J.

Warianty tytułu

EN

Profiling of chemical content of oxide passivation layers using Auger electron spectromicroscopy

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 10 ; 05-09.06.2011 ; Darłówko Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Zbadano rozkład zawartości pierwiastków w nanowarstwach pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera w funkcji czasu trawienia jonowego (Ar⁺): (i) na powierzchni stali nierdzewnej 316L (O i Cr) oraz (ii) w struklurze HfO₂/SiO₂/SiC zawierającej buforową nanowarstwę SiO₂(Hf i Si) Do analizy widm AES wykorzystano opracowaną procedurę numeryczną, która realizuje odejmowanie tła widma oraz dekompozycję - na bazie algorytmu ewolucyjnego - nakładających się złożonych linii pierwiastków, w badanych przypadkach odpowiednio: O KLL i Cr LMM oraz Hf MNN i Si KLL Na tej podstawie wyznaczono grubość warstw tlenkowych na ok. 5-6 nm.

EN

Element content distribution in passivation nanofilms was examined using Auger electron spectromicroscopy (AES) versus ion sputtering time (Ar⁺): (i) at the 316L stainlees steel surface (O and Cr) and (ii) in the HfO₂/SiO₂/SiC structure containing SiO₂ buffer nanolayer (Hf and Si). Analysis of AES spectra was performed using an elaborated numerical procedure, which realizes the spectrum background subtraction and decomposition - using an evolutionary algorithm - of the overlapping lines in the examined cases of O KLL and Cr LMM as well as Hf MNN and Si KLL, respectively On this basis the passivation layer thickness was determined as about 5...6 nm.

Słowa kluczowe

PL

spektroskopia elektronów Augera; dekompozycja linii widmowych; skład chemiczny tlenkowych warstw pasywacyjnych; pasywacja

EN

Auger electron spectroscopy; spectrum line decomposition; oxide passivation layers - chemical composition; passivation

• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 9
• Strony: 63-66
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., wykr.

Twórcy

autor

Domanowska, A.

autor

Klimasek, A.

autor

Lisiecka, E.

autor

Bidziński, P.

autor

Adamowicz, B.

autor

Szewczenko, J.

autor

Taube, A.

autor

Korwin-Mikke, K.

autor

Gierałtowska, S

autor

Żywicki, J.

• Instytut Fizyki - Centrum Naukowo-Dydaktyczne Politechniki Śląskiej, Gliwice

Bibliografia

• [1] Watts J. E., J. Wolstenholme: An introduction to surface analysis by XPS and AES Wiley, 2003.
• [2] Wetzig K., S. Baunack, V. Hoffmann, S. Oswald, F. Prassler: Quantitative depth profiling of thin layers. Fresenius J. Anal. Chem., vol. 358, pp. 25-31, 1997.
• [3] Bauer H. E.: A fast and simple method for background removal in Auger electron spectroscopy. Fresenius J. Anal. Chem., vol. 353, pp. 450, 1995.
• [4] Storn R., K. Price: Differential evolution - a simple and efficient heuristic for global optimization over continuous spaces. Journal of Gl. Optim., vol. 11, pp. 341-359, 1997.
• [5] Mroczkowski S., D. Lichtman: J. Vac. Sci. Technol. A, „Calculated Auger yields and sensitivity factors for KLL NOO transitions with 1-10 kV primary beams”, vol. 3, pp. 1860-1865, 1985.
• [6] Davis L. E., N. C. MacDonald, P. W. Palmberg. G. E. Riach, R. E. Weber: Handbook of Auger electron spectroscopy. 2nd ed., Physical Electronics Industries, 1978